特許
J-GLOBAL ID：200903062220472931
レジスト材料及びパターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
小島 隆司
, 重松 沙織
, 小林 克成
, 石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-048700
公開番号（公開出願番号）：特開2007-298953
出願日： 2007年02月28日
公開日（公表日）： 2007年11月15日
要約：
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液への溶解性が増大する樹脂成分(A)と活性光線又は放射線に感応して酸を発生する化合物(B)とを含有し、更に分子量150以上の酸性有機化合物(C)を1種以上含有することを特徴とするポジ型レジスト材料。【効果】本発明のレジスト材料は、微細加工技術、特にArFリソグラフィー技術において高解像性であるのみならず、欠陥低減をも実現しており、精密な微細加工に極めて有効である。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
酸の作用によりアルカリ現像液への溶解性が増大する樹脂成分(A)と活性光線又は放射線に感応して酸を発生する化合物(B)とを含有し、更に分子量150以上の酸性有機化合物(C)を1種以上含有することを特徴とするポジ型レジスト材料。
IPC (3件)：
G03F 7/004
, G03F 7/039
, H01L 21/027
G03F7/004 501
, G03F7/039 601
, H01L21/30 502R
2H025AA02
, 2H025AA04
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE07
, 2H025BF02
, 2H025BG00
, 2H025CC20
, 2H025DA34
, 2H025FA17
