特許
J-GLOBAL ID：200903062346090376

磁気ランダムアクセスメモリ

発明者：
福住 嘉晃

福住 嘉晃 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (7件)： 鈴江 武彦 ,  村松 貞男 ,  坪井 淳 ,  橋本 良郎 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  河井 将次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-346038
公開番号（公開出願番号）：特開2004-179521
出願日： 2002年11月28日
公開日（公表日）： 2004年06月24日
要約：
【課題】改良された磁気回路構造を有するMRAMを提供する。【解決手段】MRAMは、データを記憶する磁気抵抗素子35と、磁気抵抗素子に選択的に磁界を与える電流駆動線72と、電球駆動線からの磁界を保持する磁気回路84と、を具備する。電流駆動線72は磁気抵抗素子35に対向する第1面と、第1面と反対側の第2面と、第1及び第2面間の2つの側面と、を具備する。磁気回路84は、電流駆動線72の第1及び第2面側が開放するように電流駆動線の2つの側面に沿って延在する強磁性材料から実質的になる一対の板部材85、86を具備する。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
データを記憶する磁気抵抗素子と、 前記磁気抵抗素子に選択的に磁界を与える電流駆動線と、 前記電球駆動線からの磁界を保持する磁気回路と、 を具備し、前記電流駆動線は前記磁気抵抗素子に対向する第1面と、前記第1面と反対側の第2面と、前記第1及び第2面間の2つの側面と、を具備し、 前記磁気回路は、前記電流駆動線の前記第1及び第2面側が開放するように前記電流駆動線の前記2つの側面に沿って延在する強磁性材料から実質的になる一対の板部材を具備することを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。
IPC (3件)：
H01L27/105 ,  G11C11/15 ,  H01L43/08
FI (4件)：
H01L27/10 447 ,  G11C11/15 120 ,  G11C11/15 130 ,  H01L43/08 Z
Fターム (10件)：
5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA11 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19
引用特許：
審査官引用 (5件)
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