特許
J-GLOBAL ID:200903062482290800

研磨用組成物および研磨方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 佐藤 一雄 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-244331
公開番号(公開出願番号):特開平11-080707
出願日: 1997年09月09日
公開日(公表日): 1999年03月26日
要約:
【要約】【課題】 研磨速度が大きく、均一性が優れた研磨面を形成させることができる研磨用組成物、および生産性の高い半導体ウェーハの研磨方法の提供。【解決手段】 (1)水、(2)研磨材、(3)炭酸イオン、炭酸水素イオン、および炭酸からなる群より選ばれる少なくとも1種類、ならびに(4)アンモニウムイオン、アルカリ金属イオン、およびアルカリ土類金属イオンそれぞれからなる群から選ばれる、少なくとも1種類の陽イオン、を含んでなる研磨用組成物であって、(4)の陽イオンの総量が0.001〜0.15モル/リットルであることを特徴とする研磨用組成物、およびその研磨用組成物を用いた半導体ウェーハの研磨方法。
請求項(抜粋):
(1)水、(2)研磨材、(3)炭酸イオン、炭酸水素イオン、および炭酸からなる群より選ばれる少なくとも1種類、ならびに(4)アンモニウムイオン、アルカリ金属イオン、およびアルカリ土類金属イオンそれぞれからなる群から選ばれる、少なくとも1種類の陽イオン、を含んでなる研磨用組成物であって、(4)の陽イオンの総量が0.001〜0.15モル/リットルであることを特徴とする研磨用組成物。
IPC (5件):
C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14 ,  B24B 37/00 ,  H01L 21/304 622 ,  G11B 5/84
FI (5件):
C09K 3/14 550 D ,  C09K 3/14 550 Z ,  B24B 37/00 H ,  H01L 21/304 622 C ,  G11B 5/84 A
引用特許:
審査官引用 (13件)
  • 特開昭52-069558
  • 特開平2-158684
  • 特開平3-202269
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