特許
J-GLOBAL ID：200903062493751841

有機薄膜トランジスタの製造方法

発明者：
岡田 真和

岡田 真和 について


出願人/特許権者：
コニカミノルタホールディングス株式会社

コニカミノルタホールディングス株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-121823
公開番号（公開出願番号）：特開2007-294723
出願日： 2006年04月26日
公開日（公表日）： 2007年11月08日
要約：
【課題】簡単な工程で高性能な薄膜トランジスタを製造する有機薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】有機半導体層と、有機半導体層内のチャネル領域に対向するように形成されたゲート電極と、チャネル領域を挟むソース電極及びドレイン電極とを具備してなる有機薄膜トランジスタの製造方法において、有機半導体層は、ソース電極及びドレイン電極を覆うように有機半導体からなる層を設ける工程と、チャネル領域に相当する有機半導体からなる層上に保護層を設ける工程と、有機半導体からなる層に、活性エネルギー線を照射することにより有機半導体を除去する工程、を経て形成されることを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
有機半導体層と、該有機半導体層を保護する保護層と、前記有機半導体層内のチャネル領域に対向する位置に設けられたゲート電極と、前記チャネル領域を挟むソース電極及びドレイン電極とを具備してなる有機薄膜トランジスタの製造方法において、 前記保護層は以下の工程において使用される活性エネルギー線に対し不活性な化合物からなり、かつ前記有機半導体層は以下の工程を経て形成されることを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。 i)前記チャネル領域を含み且つ前記ソース電極及び前記ドレイン電極を覆うように有機半導体からなる層を設ける工程、 ii)前記チャネル領域に相当する前記有機半導体からなる層上に前記保護層を設ける工程、 iii)活性エネルギー線を照射することにより前記保護層が設けられていない部分の有機半導体からなる層を除去する工程。
IPC (4件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/40
FI (4件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 627C ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 310K
Fターム (36件)：
5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD12 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG41 ,  5F110GG42 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK07 ,  5F110NN12 ,  5F110NN14 ,  5F110NN15 ,  5F110NN27 ,  5F110NN32 ,  5F110NN36 ,  5F110NN40 ,  5F110NN43 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ04
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (4件)
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