有機薄膜トランジスタ素子の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-114588
公開番号（公開出願番号）：特開2003-309266
出願日： 2002年04月17日
公開日（公表日）： 2003年10月31日
要約：

【要約】【課題】リーク電流が低減し、且つ、画素欠陥の少ない有機薄膜トランジスタ素子の製造方法を提供する。【解決手段】支持体上に、少なくともゲート電極、絶縁層、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタ素子の製造方法において、該有機半導体層と接する部位の表面を予めプラズマ処理する工程の後、前記有機半導体層を設ける工程を有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ素子の製造方法。

請求項（抜粋）：

支持体上に、少なくともゲート電極、絶縁層、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタ素子の製造方法において、該有機半導体層と接する部位の表面を予めプラズマ処理する工程の後、前記有機半導体層を設ける工程を有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ素子の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 29/786 , H01L 21/28 301 , H01L 21/336 , H01L 29/417 , H01L 51/00

FI (5件)：

H01L 21/28 301 Z , H01L 29/78 618 B , H01L 29/78 618 A , H01L 29/50 M , H01L 29/28

Fターム (79件)：

4M104AA09 , 4M104AA10 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD31 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD51 , 4M104DD68 , 4M104DD75 , 4M104EE03 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104EE18 , 4M104FF13 , 4M104GG08 , 4M104GG09 , 5F110AA06 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE41 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF21 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG05 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG32 , 5F110GG41 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110GG52 , 5F110GG53 , 5F110GG54 , 5F110GG55 , 5F110GG57 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK31 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK42 , 5F110QQ03 , 5F110QQ06 , 5F110QQ14

引用特許：

審査官引用 (7件)

コプラナー型半導体装置とそれを用いた表示装置および製法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-055997 出願人：株式会社日立製作所
ウエハ及び基板の処理装置及び処理方法、ウエハ及び基板の移載装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-164526 出願人：セイコーエプソン株式会社
薄膜トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-331756 出願人：株式会社東芝

全件表示

前のページに戻る