特許
J-GLOBAL ID：200903091198778193

窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子の製造方法

発明者：
京野 孝史

京野 孝史 について

, 
平山 秀樹

平山 秀樹 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について

, 
独立行政法人理化学研究所

独立行政法人理化学研究所 について


代理人 (4件)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  柴田 昌聰 ,  近藤 伊知良
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-190074
公開番号（公開出願番号）：特開2007-012789
出願日： 2005年06月29日
公開日（公表日）： 2007年01月18日
要約：
【課題】 発光面積を大きくできる窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】 窒化物半導体発光素子11は、紫外線領域の波長成分を含む光Lを発生する。窒化物半導体発光素子11は、金属支持基体16と、金属支持基体16上に設けられAl及びGaを含むn導電型の窒化物半導体層17と、n導電型の窒化物半導体層17上に設けられた発光層19と、発光層19上に設けられたp導電型の窒化物半導体層21と、p導電型の窒化物半導体層21上に設けられ光Lが透過可能な半透明電極27とを備える。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
紫外線領域の波長成分を含む光を発生する窒化物半導体発光素子であって、 金属支持基体と、 前記金属支持基体上に設けられAl及びGaを含むn導電型の窒化物半導体層と、 前記n導電型の窒化物半導体層上に設けられた発光層と、 前記発光層上に設けられたp導電型の窒化物半導体層と、 前記p導電型の窒化物半導体層上に設けられ前記光が透過可能な半透明電極と、 を備える、窒化物半導体発光素子。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (1件)：
H01L33/00 C
Fターム (11件)：
5F041AA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA77 ,  5F041CA83 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CA98 ,  5F041CB15
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 半導体発光素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-198835   出願人：株式会社東芝
審査官引用 (9件)
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