多結晶半導体膜の製造装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-281451
公開番号（公開出願番号）：特開2002-093738
出願日： 2000年09月18日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
要約：

【要約】【課題】レーザアニール法により多結晶半導体膜を形成する際、不純物の多結晶半導体膜への混入を防ぎ、かつ多結晶シリコンの粒界部の突起を低減して、特性変動がなく信頼性の高いトランジスタが得られる多結晶半導体膜を作製するレーザアニール装置を提供することを目的とする。【解決手段】絶縁基板上に形成された非晶質の半導体膜をビームアニール法によって結晶化する多結晶半導体膜の製造装置において、レーザービームを非晶質半導体膜に照射するときに、ビーム照射される基板の表面の雰囲気を制御できる局所シールドをレーザビーム周囲に備えていることを特徴とする多結晶半導体膜の製造装置。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に形成された非晶質半導体膜をビームアニール法によって結晶化する多結晶半導体膜の製造装置において、レーザビームを非晶質半導体膜に照射するときに、レーザビームが照射される基板の表面の雰囲気を制御できる局所シールド部を備えていることを特徴とする多結晶半導体膜の製造装置。

IPC (5件)：

H01L 21/268 , H01L 21/20 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01S 3/00

FI (4件)：

H01L 21/268 G , H01L 21/20 , H01S 3/00 B , H01L 29/78 627 G

Fターム (30件)：

5F052AA02 , 5F052BA07 , 5F052BB07 , 5F052CA04 , 5F052CA08 , 5F052DA02 , 5F052DB03 , 5F052EA15 , 5F052JA01 , 5F072AA06 , 5F072JJ09 , 5F072KK05 , 5F072KK30 , 5F072RR05 , 5F072SS06 , 5F072YY08 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F110PP10 , 5F110PP35

引用特許：

審査官引用 (6件)

レ-ザアニ-ル装置およびレ-ザアニ-ル方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-338511 出願人：株式会社東芝
半導体装置の製造方法およびレーザー光照射装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-012240 出願人：シャープ株式会社
レーザ加工装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-003309 出願人：株式会社東芝

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