特許
J-GLOBAL ID：200903062739646945
サドル型MOS素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
根本 恵司
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-545368
公開番号（公開出願番号）：特表2008-523610
出願日： 2005年12月06日
公開日（公表日）： 2008年07月03日
要約：
本発明はサドル(Saddle)構造を持つナノ大きさのMOS素子に関し、特にチャネルとゲート構造がサドル形に形成され、MOS素子の縮小化特性と性能を改善することができる新しい構造の高集積/高性能MOS素子に関する。 本発明によるMOS素子の主要特徴はチャネル領域がリセスされ、かつリセスされたチャネルの表面及び側面にゲート絶縁膜とゲート電極が形成され、上記ゲート電極はリセスされたチャネルと自己整合するように形成されていることである。すなわち、開示されたMOS素子では、リセスされたチャネル周辺の絶縁膜の一部を選択的に除去してリセスされたチャネルの表面及び側面を露出する。 本発明によれば、素子の縮小化特性がすぐれており、リセスされたチャネルの表面及び側面に電流が流れるチャネルが形成されるから、電流駆動能力が大幅に増大する。ゲート電極のチャネルに対する制御能力も向上し、従って、素子の特性を改善することができる。
請求項（抜粋）：
その上に接続して形成されたウォール型シリコンボディ2を有するシリコン基板1;
シリコン基板1の表面及びシリコンボディ2の表面に形成された第1絶縁膜3;
第1絶縁膜3上に形成された窒化膜4;
窒化膜4上に形成された要素隔離用の第2絶縁膜5;
シリコンボディ2の表面から所定の深さにリセスされた、チャネルとして使用される領域;
シリコンボディ2のリセス幅や深さより大きくエッチングされた、リセスされたシリコンボディの周りの窒化膜4及び第1絶縁膜3;
リセスされたシリコンボディ2の表面及び側面に形成されたゲート絶縁膜7、
得られた構造の上に順次形成されたゲート電極8及びスペーサ10;及び
ゲート電極8の両側面でシリコンボディ2中にある深さに形成されたソース/ドレイン領域11;
を包含するMOS素子。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L29/78 301G
, H01L29/78 301X
5F140AA06
, 5F140AA22
, 5F140AA39
, 5F140BA02
, 5F140BB05
, 5F140BB06
, 5F140BC15
, 5F140BE01
, 5F140BE02
, 5F140BE03
, 5F140BE14
, 5F140BF01
, 5F140BF04
, 5F140BF34
, 5F140BF42
, 5F140BF43
, 5F140BF51
, 5F140BF58
, 5F140BG08
, 5F140BG24
, 5F140BH05
, 5F140BH09
, 5F140BH10
, 5F140BK09
, 5F140BK13
, 5F140CB04
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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