特許
J-GLOBAL ID：200903077278020418

薄膜トランジスタを有する半導体装置およびその製造方法

発明者：
前川 繁登

前川 繁登 について

, 
一法師 隆志

一法師 隆志 について

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岩松 俊明

岩松 俊明 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-107294
公開番号（公開出願番号）：特開平9-293793
出願日： 1996年04月26日
公開日（公表日）： 1997年11月11日
要約：
【要約】【課題】 薄膜トランジスタのソース/ドレイン領域と上層もしくは下層の導電層とのコンタクトを安定してとれる薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体層3の一方端部は第1の導電層1a上に乗り上げてかつ第1の導電層1aに接しており、他方端部は第2の導電層1bに乗り上げてかつ第2の導電層1bに接している。半導体層3の中央部はゲート絶縁層5を介在してゲート電極層7と対向している。半導体層3は幅W1 が高さH1 より小さくなるように形成されている。
請求項（抜粋）：
互いに分離して設けられた第1および第2の導電層と、一方の端部が前記第1の導電層上に乗り上げてかつ前記第1の導電層に接しており、他方端部が前記第2の導電層上に乗り上げてかつ前記第2の導電層に接する半導体層と、前記一方端部と前記他方端部とに挟まれる中央部において前記半導体層の上面および両側面をゲート絶縁層を介在して覆うゲート電極層とを備え、前記半導体層の前記両側面によって規定される線幅は前記半導体層の膜厚よりも小さく、前記第1および第2の導電層の線幅は前記半導体層の前記線幅よりも大きい、薄膜トランジスタを有する半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/8244 ,  H01L 27/11 ,  H01L 29/786
FI (4件)：
H01L 27/10 381 ,  H01L 29/78 613 B ,  H01L 29/78 618 G ,  H01L 29/78 626 Z
引用特許：
審査官引用 (9件)
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