半導体結晶の成長方法および半導体積層構造体

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩佐義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-165714
公開番号（公開出願番号）：特開平10-012914
出願日： 1996年06月26日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：

【要約】【課題】傾斜バッファ層を介在させた構造において、傾斜バッファ層内でミスフィット転位の伝搬を低減かつ停止する。【解決手段】半導体基板1と、この半導体基板とは格子定数が異なり、エピタキシャル成長により形成される半導体層4と、半導体基板と半導体層との間に介在する傾斜バッファ層2とを有する半導体積層構造体において、傾斜バッファ層は、半導体基板の格子定数と半導体層の格子定数との間で格子定数を自由に設定できる複数の半導体層からなり、各半導体層の膜厚は格子歪による応力を解放できる臨界膜厚以上であり、傾斜バッファ層を構成する複数の半導体層のうちの最上層の半導体層に、この半導体層の格子定数と異なる格子定数をもつ半導体材料からなる単一量子井戸層3を挿入したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、この半導体基板とは格子定数が異なり、エピタキシャル成長により形成される半導体層と、前記半導体基板と前記半導体層との間に介在する傾斜バッファ層とを有する半導体積層構造体において、前記傾斜バッファ層は、前記半導体基板の格子定数と前記半導体層の格子定数との間で格子定数を自由に設定できる1層以上の半導体層を有し、各半導体層の膜厚は格子歪による応力を解放できる臨界膜厚以上であり、前記傾斜バッファ層を構成する半導体層のうちの少なくとも1つの半導体層に、この半導体層の格子定数と異なる格子定数をもつ半導体材料からなる単一量子井戸層を挿入した、ことを特徴とする半導体積層構造体。

IPC (3件)：

H01L 31/10 , H01L 21/20 , H01L 29/06

FI (3件)：

H01L 31/10 A , H01L 21/20 , H01L 29/06

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-030118 出願人：株式会社日立製作所
GaInAsフォトダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-337410 出願人：横河電機株式会社
特開昭63-186416

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