特許
J-GLOBAL ID:200903062830297880

カーボンオニオン薄膜およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小谷 悦司 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-294996
公開番号(公開出願番号):特開2002-105623
出願日: 2000年09月27日
公開日(公表日): 2002年04月10日
要約:
【要約】【課題】 オニオン構造を有する巨大フラーレンクラスターで構成されたカーボンオニオン薄膜を提供する。【解決手段】 炭素を主成分とし、膜厚が少なくとも20nm以上であり、オニオン構造のクラスターを有するカーボンオニオン薄膜である。具体的には、上記要件を満たし、且つ、?@0.001μm2中に、オニオン構造を有する直径が少なくとも4nm以上のクラスターを、少なくとも20個以上含有するか、または?Aマトリックス中に占める、オニオン構造を有するクラスターの比率が少なくとも50体積%以上であるカーボンオニオン薄膜である。
請求項(抜粋):
炭素を主成分とし、膜厚が少なくとも20nm以上であり、オニオン構造のクラスターを有することを特徴とするカーボンオニオン薄膜。
IPC (3件):
C23C 14/06 ,  C01B 31/02 101 ,  C23C 14/35
FI (3件):
C23C 14/06 F ,  C01B 31/02 101 F ,  C23C 14/35 C
Fターム (15件):
4G046CB03 ,  4G046CB08 ,  4G046CC06 ,  4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA02 ,  4K029BA03 ,  4K029BA33 ,  4K029BA34 ,  4K029BB07 ,  4K029CA05 ,  4K029DC40 ,  4K029DC43 ,  4K029EA01 ,  4K029EA06
引用特許:
審査官引用 (7件)
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引用文献:
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