特許
J-GLOBAL ID：200903014753629684
電界効果トランジスタ
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-080681
公開番号（公開出願番号）：特開2006-303475
出願日： 2006年03月23日
公開日（公表日）： 2006年11月02日
要約：
【課題】 本発明は、リーク電流を軽減し耐圧をより向上させた窒化物半導体からなるFETを提供することを目的とする。【解決手段】 本発明は、基板101と、窒化物半導体からなるバッファ層102と、窒化物半導体からなる第1の半導体層103aと、窒化物半導体からなる第2の半導体層103bと、を順に有する電界効果トランジスタであって、少なくともバッファ層102と第1の半導体層103aはp型不純物を含み、バッファ層102のp型不純物濃度は第1の半導体層103aよりも高く、第1の半導体層103aのp型不純物濃度は第2の半導体層103bよりも高くなるよう構成されていることを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板と、窒化物半導体の第1の半導体層とその上に窒化物半導体の第2の半導体層の少なくとも一部とを有する下地層と、その上に窒化物半導体の能動領域を有する電界効果トランジスタであって、
前記第1の半導体層がp型不純物を含み、該p型不純物濃度が前記第2の半導体層より高いと共に、前記第1の半導体層がi型層若しくは半絶縁性の層である電界効果トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/812
, H01L 29/778
, H01L 21/338
5F102FA01
, 5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GJ10
, 5F102GK04
, 5F102GK08
, 5F102GL04
, 5F102GM04
, 5F102GM08
, 5F102GM09
, 5F102GQ01
, 5F102HC01
出願人引用 (11件)
全件表示
審査官引用 (6件)
全件表示
前のページに戻る
