特許
J-GLOBAL ID:200903063138084997

欠陥情報解析方法およびその装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 作田 康夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-037596
公開番号(公開出願番号):特開2004-153228
出願日: 2003年02月17日
公開日(公表日): 2004年05月27日
要約:
【課題】薄膜デバイスの製造工程において、問題の発生した装置を効率よく抽出する。【解決手段】薄膜デバイスの製造工程において、問題の発生した装置を効率よく抽出する製品について製品検査に関連して得られるデータと、製造装置について状態を示すデータとの関連性を評価することにより、問題が発生した製造装置の候補を抽出する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
薄膜デバイスの製造工程において被加工物を検査して得た欠陥情報を解析する方法であって、 薄膜デバイスの製造工程において複数の処理装置で構成される所定の処理工程で処理を施す前に被処理基板を検査して得たデータと前記所定の処理工程で処理を施した後に前記被処理基板を検査して得たデータとを比較して前記所定の処理工程で処理を施したことにより前記被処理基板上に発生した欠陥を抽出し、 該抽出した欠陥の数が予め設定した数よりも多い場合には前記所定の処理工程を構成する複数の処理装置における前記被処理基板の着工履歴を示す情報と前記所定の処理工程で前記被処理基板処理した処理装置の状況に関する情報とを画面上に表示する ことを特徴とする欠陥情報解析方法。
IPC (1件):
H01L21/66
FI (1件):
H01L21/66 Z
Fターム (3件):
4M106AA01 ,  4M106CA41 ,  4M106DB20
引用特許:
審査官引用 (6件)
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