特許
J-GLOBAL ID:200903063179663195

LCD製造用ポジ型ホトレジスト組成物およびレジストパターンの形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (5件): 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  柳井 則子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-024427
公開番号(公開出願番号):特開2004-233846
出願日: 2003年01月31日
公開日(公表日): 2004年08月19日
要約:
【課題】低NA条件下でも、高い解像度でレジストパターンを形成することができ、好ましくはリニアリティの良好な、LCD製造用のレジスト材料を提供する。【解決手段】(A)アルカリ可溶性樹脂、(B)ポリスチレン換算質量平均分子量が300〜1300の低分子量ノボラック樹脂とナフトキノンジアジドスルホン酸化合物との、平均エステル化率が30〜90%のエステル化反応生成物、(C)分子量1000以下のフェノール性水酸基含有化合物、(D)有機溶剤、を含む事を特徴とするLCD製造用ポジ型ホトレジスト組成物を用いてレジストパターンを形成する。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
(A)アルカリ可溶性樹脂、 (B)ポリスチレン換算質量平均分子量が300〜1300の低分子量ノボラック樹脂とナフトキノンジアジドスルホン酸化合物との、平均エステル化率が30〜90%のエステル化反応生成物、 (C)分子量が1000以下のフェノール性水酸基含有化合物、 (D)有機溶剤、 を含む事を特徴とするLCD製造用ポジ型ホトレジスト組成物。
IPC (3件):
G03F7/023 ,  C08G8/32 ,  G03F7/004
FI (3件):
G03F7/023 501 ,  C08G8/32 ,  G03F7/004 501
Fターム (20件):
2H025AB17 ,  2H025AC01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE02 ,  2H025CB52 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  2H025FA03 ,  2H025FA17 ,  4J033CA02 ,  4J033CA12 ,  4J033CA13 ,  4J033CA28 ,  4J033CA29 ,  4J033CA44 ,  4J033CB18 ,  4J033HA02 ,  4J033HA12 ,  4J033HA28 ,  4J033HB10
引用特許:
審査官引用 (5件)
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