特許
J-GLOBAL ID：200903063308466504

基板処理装置および基板処理方法

発明者：
大谷 正美

大谷 正美 について


出願人/特許権者：
大日本スクリーン製造株式会社

大日本スクリーン製造株式会社 について


代理人 (3件)： 吉田 茂明 ,  吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-041443
公開番号（公開出願番号）：特開2004-253552
出願日： 2003年02月19日
公開日（公表日）： 2004年09月09日
要約：
【課題】エッジ露光処理において、露光すべきエッジ領域を高精度に露光することができる技術を提供する。【解決手段】基板処理装置は、基板に対してレジストを塗布すると、形成されたレジスト膜の膜厚を測定する(ステップS104)。基板処理装置のコントローラは、このレジスト膜の膜厚に応じて、基板周縁側のエッジ領域を露光する際の最適な露光量を決定する(ステップS106)。そして、決定された露光量によって、基板に対してエッジ露光処理が行われる(ステップS109)。これにより、露光すべきエッジ領域を高精度に露光することができ、剥がれたレジストによる基板の汚染等を防止することができる。【選択図】 図8
請求項（抜粋）：
基板を処理する基板処理装置であって、 レジストを塗布して基板上にレジスト膜を形成するレジスト塗布手段と、 前記レジスト膜の膜厚を測定する測定手段と、 前記基板のパターンを形成すべき領域より周縁側の前記レジスト膜を露光する露光手段と、 前記測定手段により測定された前記レジスト膜の膜厚に応じて、前記露光手段が露光する際の露光量を規定するパラメータ値を決定する露光量決定手段と、 を備えることを特徴とする基板処理装置。
IPC (4件)：
H01L21/027 ,  G03F7/16 ,  G03F7/26 ,  G03F7/38
FI (5件)：
H01L21/30 577 ,  G03F7/16 502 ,  G03F7/26 501 ,  G03F7/38 501 ,  H01L21/30 565
Fターム (15件)：
2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC01 ,  2H025EA05 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H096AA25 ,  2H096AA27 ,  2H096CA14 ,  2H096DA10 ,  2H096EA02 ,  2H096JA02 ,  5F046JA21 ,  5F046JA22 ,  5F046MA18
引用特許：
審査官引用 (8件)
  • 周辺露光装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-129152   出願人：株式会社ニコン
  • 熱処理効果の測定方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-064403   出願人：日本電気株式会社
  • 特開平2-288326
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