温度調節器及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：上村輝之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-291018
公開番号（公開出願番号）：特開2000-214934
出願日： 1999年10月13日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：

【要約】【課題】容易に製造することができ、且つ、均熱性及び熱応答性に優れた温度調節器及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板載置用プレート1と冷却用プレート3との間の熱電デバイス21は、その上側の銅箔電極5、5、...が、基板載置用プレート1の下面の略全域をおおう接着剤シート17によってプレート1の下面に接着されており、その下側の銅箔電極7、7、...が、冷却用プレート3の上面の略全域をおおう接着剤シート19によってプレート3の上面に接着されている。接着剤シート17と、それに接着された銅箔電極5との厚みの合計値、及び接着剤シート19と、それに接着された銅箔電極7との厚みの合計値は、それぞれ共に、熱抵抗が十分小さくなる25〜1000μm程度と薄く設定されている。少なくとも基板2に対応する領域の全域をカバーする広い領域にわたって、熱電変換素子9、13が分散配列されている。

請求項（抜粋）：

温度制御対象を載置するための載置用平板と、熱交換を行なうための熱交換平板と、前記2枚の平板の間に挟まれた、2次元配列された多数の熱電変換素子と、それら多数の熱電変換素子を電気的に接続して両側の熱交換面を構成している多数の電極とを持つ熱交換デバイスとを備え、前記載置用平板上に載置される前記温度制御対象に対応する領域をカバーする温度制御領域の実質的全域にわたって前記多数の熱電変換素子が分散して配置されている温度調節器。

IPC (3件)：

G05D 23/20 , H01L 35/30 , H01L 35/32

FI (3件)：

G05D 23/20 A , H01L 35/30 , H01L 35/32 A

引用特許：

審査官引用 (12件)

半導体素子冷却装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-323775 出願人：株式会社テクニスコ
熱電変換素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-123574 出願人：アイシン精機株式会社
熱電変換装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-085167 出願人：アイシン精機株式会社

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