特許

J-GLOBAL ID：200903063420464654

レジストパターン厚肉化材料、レジストパターン及びその製造方法、並びに、半導体装置及びその製造方法

発明者： 野崎 耕司 ,  小澤 美和
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 廣田 浩一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-217213
公開番号（公開出願番号）：特開2004-061668
出願日： 2002年07月25日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：

【課題】レジストパターンを厚肉化し微細な抜けレジスト抜けパターンを形成可能なレジストパターン厚肉化材料等の提供。【解決手段】樹脂と、架橋剤と、カチオン性界面活性剤、両性界面活性剤、並びに、アルコキシレート系界面活性剤、脂肪酸エステル系界面活性剤、アミド系界面活性剤、アルコール系界面活性剤及びエチレンジアミン系界面活性剤からなる非イオン性界面活性剤から選択される少なくとも1種とを含有するレジストパターン厚肉化材料。レジストパターンを形成後、該パターン表面に前記厚肉化材料を塗布するレジストパターンの製造方法。下地層上にレジストパターンを形成後、該パターン表面に前記厚肉化材料を塗布し該パターンを厚肉化する工程と、該パターンを用いてエッチングにより下地層をパターニングする工程とを含む半導体装置の製造方法。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

樹脂と、架橋剤と、カチオン性界面活性剤、両性界面活性剤、並びに、アルコキシレート系界面活性剤、脂肪酸エステル系界面活性剤、アミド系界面活性剤、アルコール系界面活性剤及びエチレンジアミン系界面活性剤からなる非イオン性界面活性剤から選択される少なくとも1種とを含有することを特徴とするレジストパターン厚肉化材料。

IPC (3件)：

G03F7/40 ,  H01L21/027 ,  H01L21/3065

FI (3件)：

G03F7/40 511 ,  H01L21/30 570 ,  H01L21/302 105A

Fターム (9件)：

2H096AA25 ,  2H096HA05 ,  2H096HA07 ,  2H096HA23 ,  2H096KA30 ,  5F004DA01 ,  5F004DB26 ,  5F004EA02 ,  5F046LA18

引用特許：

審査官引用 (7件)

• 水溶性樹脂組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-182778   出願人：クラリアントインターナショナルリミテッド
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-087282   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体装置の製造方法並びに半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-240528   出願人：三菱電機株式会社, 菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社
• 微細パターン形成材料を用いた半導体装置の製造方法および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-107299   出願人：三菱電機株式会社, 菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-003205   出願人：三菱電機株式会社
• 微細パターン形成材料及びこれを用いた半導体装置の製造方法並びに半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-080940   出願人：三菱電機株式会社
• 微細パターン形成材料及びこれを用いた半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-038866   出願人：三菱電機株式会社, 菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社