特許
J-GLOBAL ID：200903063455462689
集積型薄膜太陽電池の製造のためのレーザスクライブ法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-188620
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015786
出願日： 1999年07月02日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：
【要約】【課題】 多結晶質光電変換ユニット層を含む薄膜太陽電池の集積化に好ましく用いられ得るレーザスクライブ法を提供する。【解決手段】 基板1上に順次積層された第1電極層2、少なくとも1つの多結晶質半導体光電変換ユニット層を含む半導体層3、および第2電極層を含む集積型薄膜太陽電池の製造のために用いられるレーザスクライブ法において、半導体層分割溝または第2電極層分割溝の少なくとも一方の目的溝を形成する際に、1回のレーザビームのスキャンによってはその照射領域に目的溝を形成し得ないエネルギ密度を有するパルスレーザ5aが用いられ、その目的溝を形成するためには同一のレーザパルス照射領域が複数回のビームスキャンで照射されることを特徴としている。
請求項（抜粋）：
基板上で順に積層された第1電極層、少なくとも1つの多結晶質半導体光電変換ユニット層、および第2電極層が複数の光電変換セルを形成するように実質的に直線状で互いに平行な複数の第1電極層分割溝、半導体層分割溝、および第2電極層分割溝によって分割されていて、かつそれらの複数のセルは前記半導体層分割溝を介して互いに電気的に直列接続された集積型薄膜太陽電池の製造のためのレーザスクライブ法であって、前記半導体層分割溝または前記第2電極層分割溝の少なくとも一方の目的溝を形成するために、1回のレーザビームのスキャンによってはその照射領域に前記目的溝を形成し得ないエネルギ密度を有するパルスレーザが用いられ、前記目的溝を形成するためには同一のレーザパルス照射領域が複数回のビームスキャンで照射されることを特徴とするレーザスクライブ法。
IPC (4件)：
H01L 31/04
, B23K 26/00
, B23K 26/04
, H01L 21/301
H01L 31/04 S
, B23K 26/00 D
, B23K 26/04 C
, H01L 21/78 B
4E068AD01
, 4E068CA01
, 4E068CA11
, 4E068CD06
, 4E068CD14
, 4E068DA09
, 5F051AA03
, 5F051AA05
, 5F051EA02
, 5F051EA09
, 5F051EA10
, 5F051EA11
, 5F051EA16
