特許
J-GLOBAL ID：200903063541826235
電界効果トランジスタ及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-078935
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274489
出願日： 1998年03月26日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：
【要約】【課題】本発明は、電気的な信頼性の高い薄いゲート絶縁膜を実現可能な構造と、その製造方法を提供することを目的としている。【解決手段】半導体基板11の主表面にゲート絶縁膜15を形成する工程と、ゲート絶縁膜とゲート電極との界面の重水素濃度分布が前記ゲート絶縁膜の膜厚方向の中間領域よりも高くなるように前記ゲート絶縁膜に重水素原子を添加する工程を備えることを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法及びこの方法により製造された電界効果トランジスタを提供する。
請求項（抜粋）：
半導体基板の主表面あるいは半導体層の主表面を酸素原子と窒素原子とを含む雰囲気に晒してゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、前記半導体基板の主表面あるいは前記半導体層の主表面に前記ゲート電極を挟む一対のソース・ドレイン電極を形成する工程とを備える電界効果トランジスタの製造方法において、前記ゲート絶縁膜と前記ゲート電極との界面の重水素濃度分布が前記ゲート絶縁膜の膜厚方向の中間領域よりも高くなるように前記ゲート絶縁膜に重水素原子を添加する工程を備えることを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/78 301 G
, H01L 29/78 301 P
