特許
J-GLOBAL ID:200903063585908719

パターン形成材料、並びにパターン形成装置及びパターン形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 廣田 浩一 ,  流 良広 ,  松田 奈緒子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-270706
公開番号(公開出願番号):特開2007-079474
出願日: 2005年09月16日
公開日(公表日): 2007年03月29日
要約:
【課題】 高感度で、現像性に優れ、高解像度なパターンが得られるパターン形成材料、並びに該パターン形成材料を備えたパターン形成装置及びパターン形成方法の提供。【解決手段】 支持体上に、バインダー、重合性化合物、及び光重合開始剤を含む感光層を有し、該感光層の感度が20mJ/cm2以下であり、該感光層を、線幅10〜40μmでライン/スペース(L/S)=1/1及びL/S=1/100で露光し現像して得られたパターンの、前記L/S=1/1の露光により形成されるラインパターンと、L/S=1/100の露光により形成されるラインパターンとの線幅の差が5μm以下であることを特徴とするパターン形成材料。前記バインダーのI/O値が、0.5〜0.8である態様、重合性化合物のI/O値が、0.5〜1.5である態様などが好ましい。また、前記パターン形成材料を使用するパターン形成装置及びパターン形成方法である。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
支持体と、該支持体上に少なくとも感光層を有してなり、該感光層がバインダー、重合性化合物、及び光重合開始剤を少なくとも含み、該感光層の感度が20mJ/cm2以下であり、該感光層を、線幅10〜40μmでライン/スペース(L/S)=1/1及びL/S=1/100で露光し現像して得られたパターンの、前記L/S=1/1の露光により形成されるラインパターンと、L/S=1/100の露光により形成されるラインパターンとの線幅の差が5μm以下であることを特徴とするパターン形成材料。
IPC (6件):
G03F 7/033 ,  G03F 7/20 ,  H01L 21/027 ,  G03F 7/027 ,  G03F 7/031 ,  G03F 7/004
FI (7件):
G03F7/033 ,  G03F7/20 501 ,  H01L21/30 529 ,  H01L21/30 502R ,  G03F7/027 513 ,  G03F7/031 ,  G03F7/004 512
Fターム (33件):
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA04 ,  2H025AB11 ,  2H025AB15 ,  2H025AC01 ,  2H025AD01 ,  2H025BC13 ,  2H025BC42 ,  2H025BC66 ,  2H025BC81 ,  2H025BC83 ,  2H025CA07 ,  2H025CA14 ,  2H025CA18 ,  2H025CA32 ,  2H025CA35 ,  2H025CA48 ,  2H025CB16 ,  2H025CB43 ,  2H025CB51 ,  2H025CB60 ,  2H097AA03 ,  2H097AB05 ,  2H097BA10 ,  2H097BB10 ,  2H097CA17 ,  2H097FA02 ,  2H097FA10 ,  2H097LA09 ,  5F046BA07 ,  5F046CA03 ,  5F046CB04
引用特許:
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (6件)
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