特許
J-GLOBAL ID:200903063585908719
パターン形成材料、並びにパターン形成装置及びパターン形成方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
廣田 浩一
, 流 良広
, 松田 奈緒子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-270706
公開番号(公開出願番号):特開2007-079474
出願日: 2005年09月16日
公開日(公表日): 2007年03月29日
要約:
【課題】 高感度で、現像性に優れ、高解像度なパターンが得られるパターン形成材料、並びに該パターン形成材料を備えたパターン形成装置及びパターン形成方法の提供。【解決手段】 支持体上に、バインダー、重合性化合物、及び光重合開始剤を含む感光層を有し、該感光層の感度が20mJ/cm2以下であり、該感光層を、線幅10〜40μmでライン/スペース(L/S)=1/1及びL/S=1/100で露光し現像して得られたパターンの、前記L/S=1/1の露光により形成されるラインパターンと、L/S=1/100の露光により形成されるラインパターンとの線幅の差が5μm以下であることを特徴とするパターン形成材料。前記バインダーのI/O値が、0.5〜0.8である態様、重合性化合物のI/O値が、0.5〜1.5である態様などが好ましい。また、前記パターン形成材料を使用するパターン形成装置及びパターン形成方法である。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
支持体と、該支持体上に少なくとも感光層を有してなり、該感光層がバインダー、重合性化合物、及び光重合開始剤を少なくとも含み、該感光層の感度が20mJ/cm2以下であり、該感光層を、線幅10〜40μmでライン/スペース(L/S)=1/1及びL/S=1/100で露光し現像して得られたパターンの、前記L/S=1/1の露光により形成されるラインパターンと、L/S=1/100の露光により形成されるラインパターンとの線幅の差が5μm以下であることを特徴とするパターン形成材料。
IPC (6件):
G03F 7/033
, G03F 7/20
, H01L 21/027
, G03F 7/027
, G03F 7/031
, G03F 7/004
FI (7件):
G03F7/033
, G03F7/20 501
, H01L21/30 529
, H01L21/30 502R
, G03F7/027 513
, G03F7/031
, G03F7/004 512
Fターム (33件):
2H025AA01
, 2H025AA02
, 2H025AA04
, 2H025AB11
, 2H025AB15
, 2H025AC01
, 2H025AD01
, 2H025BC13
, 2H025BC42
, 2H025BC66
, 2H025BC81
, 2H025BC83
, 2H025CA07
, 2H025CA14
, 2H025CA18
, 2H025CA32
, 2H025CA35
, 2H025CA48
, 2H025CB16
, 2H025CB43
, 2H025CB51
, 2H025CB60
, 2H097AA03
, 2H097AB05
, 2H097BA10
, 2H097BB10
, 2H097CA17
, 2H097FA02
, 2H097FA10
, 2H097LA09
, 5F046BA07
, 5F046CA03
, 5F046CB04
引用特許: