特許
J-GLOBAL ID：200903063631601631

半導体装置およびその製造方法

発明者：
中山 創

中山 創 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 志賀 富士弥 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-193937
公開番号（公開出願番号）：特開2003-007975
出願日： 2001年06月27日
公開日（公表日）： 2003年01月10日
要約：
【要約】【課題】LSI機能ブロックの待機時の消費電力を無くすと共に、電源線の電圧降下を減少させる。【解決手段】 太陽電池20とLSIの機能ブロックを構成するSOIFET素子6、7とを埋め込み酸化膜11によって分離して一体に設け、SOIFET素子分離膜13と埋め込み酸化膜11に開口し、該開口部を層間膜にて埋めた後にコンタクトホールを開口し、コンタクト材料31、32を埋め込むことによって太陽電池にSOIFET素子を接続する。機能ブロックのONであるとき太陽電池20に面発光レーザ40から光りエネルギーを供給し、OFFであるとき、光りエネルギーの供給を止める。OFFであるときブロックユニットへのパワー供給は完全に遮断され、待機時の消費電力は無くなる。電源は短いコンタクト31、32で接続され抵抗が殆ど無いので、電圧降下は減少する。
請求項（抜粋）：
半導体LSIにおいて、一部の電力供給を光エネルギーを利用して供給する光エネルギー供給システムを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (8件)：
H01L 27/08 331 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/00 301 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/786 ,  H01L 31/04
FI (7件)：
H01L 27/08 331 E ,  H01L 27/00 301 A ,  H01L 29/78 613 Z ,  H01L 27/04 F ,  H01L 27/08 321 D ,  H01L 27/08 321 L ,  H01L 31/04 Q
Fターム (29件)：
5F038DF08 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA00 ,  5F048AB03 ,  5F048AB04 ,  5F048AC04 ,  5F048AC10 ,  5F048BA16 ,  5F048BB14 ,  5F051BA05 ,  5F051DA04 ,  5F051DA20 ,  5F051EA20 ,  5F051JA20 ,  5F051KA05 ,  5F110AA09 ,  5F110BB04 ,  5F110BB11 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG25 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65 ,  5F110NN71 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ19
引用特許：
審査官引用 (9件)
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