低温焼成及び高温絶縁抵抗強化用誘電体組成物及びこれを用いた積層セラミックキャパシタ

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：龍華明裕 , 飯山和俊 , 明石英也 , 東山忠義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-168755
公開番号（公開出願番号）：特開2009-120466
出願日： 2008年06月27日
公開日（公表日）： 2009年06月04日
要約：

【課題】低温焼結が可能でありながら高温絶縁抵抗特性を向上させ、さらにX5R特性を満たすことが出来る低温焼成及び高温絶縁抵抗強化用誘電体組成物及びこれを用いた積層セラミックキャパシタが提案される。【解決手段】本発明による誘電体組成物は、主成分としてBaTiO3を含み、副成分として、主成分のモル数を100としたとき、0.5モル乃至2.0モルのMgO、0.3モル乃至2.0モルのRe2O3、0.05モル乃至0.5モルのMnO、0.01モル乃至0.5モルのV2O5、0.3モル乃至2.0モルのBaO、0.1モル乃至2.0モルのSiO2及び0.5モル乃至3.0モルのホウケイ酸塩系ガラスを含み、ReはY、Ho及びDyで構成された群から選択された少なくとも一つであることを特徴とする誘電体組成物が提供される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

主成分としてBaTiO3を含み、副成分として、前記主成分のモル数を100としたとき、0.5モル乃至2.0モルのMgO、0.3モル乃至2.0モルのRe2O3、0.05モル乃至0.5モルのMnO、0.01モル乃至0.5モルのV2O5、0.3モル乃至2.0モルのBaO、0.1モル乃至2.0モルのSiO2及び0.5モル乃至3.0モルのホウケイ酸塩系ガラスを含み、前記ReはY、Ho及びDyで構成された群から選択された少なくとも一つであることを特徴とする低温焼成及び高温絶縁抵抗強化用誘電体組成物。

IPC (5件)：

C04B 35/46 , H01G 4/12 , H01G 4/30 , H01B 3/02 , H01B 3/12

FI (5件)：

C04B35/46 D , H01G4/12 358 , H01G4/30 301E , H01B3/02 A , H01B3/12 303

Fターム (43件)：

4G031AA01 , 4G031AA03 , 4G031AA06 , 4G031AA07 , 4G031AA08 , 4G031AA11 , 4G031AA13 , 4G031AA19 , 4G031AA28 , 4G031AA30 , 4G031BA09 , 4G031BA12 , 4G031CA04 , 4G031CA08 , 4G031GA01 , 4G031GA04 , 4G031GA09 , 4G031GA11 , 5E001AB03 , 5E001AE02 , 5E001AE03 , 5E082AB03 , 5E082FG06 , 5E082FG26 , 5G303AA01 , 5G303AB01 , 5G303AB06 , 5G303AB11 , 5G303BA12 , 5G303CA03 , 5G303CB02 , 5G303CB03 , 5G303CB14 , 5G303CB16 , 5G303CB17 , 5G303CB18 , 5G303CB20 , 5G303CB30 , 5G303CB35 , 5G303CB36 , 5G303CB40 , 5G303CB41 , 5G303CB43

引用特許：

審査官引用 (11件)

誘電体磁器組成物及び磁器コンデンサ並びにこれらの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-364690 出願人：株式会社サムスン横浜研究所
低温焼成用の誘電体磁器組成物及びこれを用いた積層セラミックコンデンサ
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-204605 出願人：三星電機株式会社
誘電体磁器組成物および電子部品
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-335430 出願人：ティーディーケイ株式会社

全件表示

前のページに戻る