アライメント・マーク・コントラストの強調方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：社本一夫 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-275261
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186162
出願日： 1998年09月29日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：

【要約】【課題】実質的に平坦でありながら、それ以後の処理の際にはアライメント・マークとして用いることができる構成を有する半導体ウエハ・ワークピースを提供すること。【解決手段】半導体ウエハ・ワークピース(10)の表面に、ワークピースの表面において隣接する2層の材料を設ける。その上で、一方の材料の高さが他方の材料の高さよりも低くなるように、平坦な表面をエッチングする。これによって、一方の材料(18)が他方の材料(20)と隣接する位置に、小さなバンプ(42)が形成される。このバンプが、後続の動作に対して、アライメント・マークとして機能する。

請求項（抜粋）：

バイアと共に形成された半導体ウエハ・ワークピースのアライメント・マーク・コントラストを強化する方法であって、金属層を、前記半導体ウエハ・ワークピースの上と前記バイアの中とに積層するステップと、前記半導体ウエハ・ワークピースを研磨し、前記バイアの内部に位置していない前記金属層を除去するステップと、前記バイアの中の1つの内部の前記金属層をエッチングし、前記1つのバイアの内部の前記金属層の高さを、前記1つのバイアに隣接する前記半導体ウエハ・ワークピースの高さよりも低くなるまで減少させ、それによって、前記1つのバイアの内部の前記金属層と前記半導体ウエハ・ワークピースの残りとの接合部によって、強化されたアライメント・マーク・コントラストを提供するようにするステップと、を含むことを特徴とする方法。

FI (2件)：

H01L 21/30 522 Z , H01L 21/30 502 M

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平4-061218
特開昭63-271979
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-315003 出願人：日本電気株式会社

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