特許
J-GLOBAL ID：200903004640449358

多層配線の形成方法

発明者：
中西 敏雄

中西 敏雄 について

, 
原田 宗生

原田 宗生 について


出願人/特許権者：
住友金属工業株式会社

住友金属工業株式会社 について


代理人 (1件)： 井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-297389
公開番号（公開出願番号）：特開平10-125680
出願日： 1996年10月18日
公開日（公表日）： 1998年05月15日
要約：
【要約】【課題】 下層Al配線13をエッチングすることなく反射防止膜14のみを除去することができ、且つアフタ-コロ-ジョンを生じさせることなく良好なコンタクトを得ることができる多層配線の形成方法を提供すること。【解決手段】 下層Al配線13上に形成されたTiNとTiとの2層からなる反射防止膜14上に層間絶縁膜15を積層し(工程(b))、層間絶縁膜15を選択的にエッチングしてコンタクトホ-ル17を形成した後(工程(c))、Si基板11の温度を例えば150°Cに保持した状態でCF4 /O2 の混合ガスプラズマで反射防止膜14を除去する(工程(d))。その後、上層Al配線18を形成する(工程(e))。
請求項（抜粋）：
半導体素子が形成された半導体基板上に設けられた反射防止膜を有するAlまたはAl合金からなる金属配線上に層間絶縁膜を積層し、該層間絶縁膜を選択的にエッチングしてコンタクトホ-ルを開口した後、フルオロカーボン系ガスあるいはフルオロカーボン系ガスに含まれる一部もしくは全ての炭素を窒素、硫黄、水素のいずれかと置き換えた置換体であるガスを用いたプラズマ、または該ガスとO2 との混合ガスを用いたプラズマにより前記反射防止膜を除去する工程を含むことを特徴とする多層配線の形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3205 ,  H01L 21/027
FI (2件)：
H01L 21/88 N ,  H01L 21/30 574
引用特許：
審査官引用 (6件)
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