プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡本啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-078099
公開番号（公開出願番号）：特開平10-326697
出願日： 1998年03月25日
公開日（公表日）： 1998年12月08日
要約：

【要約】【課題】半導体、金属、誘電体などの膜を基板上に成長したり、或いは、膜をエッチングするために使用するプラズマ発生領域内のパーティクル検出を含むプラズマ処理方法に関し、場所を取らず且つ高感度でパーティクル数を経時的に検出すること。【解決手段】プラズマが発生しているプラズマ発生領域Aの電子密度を測定し、前記プラズマ発生領域Aの電子密度の値に基づいて前記プラズマ発生領域Aでのパーティクル量を検出する。

請求項（抜粋）：

チャンバ内でウェハの上方にプラズマを発生させ、前記プラズマの電子密度を測定し、前記プラズマの電子密度の大きさ又はその変化に基づいて前記チャンバ内でのパーティクルの存在を検出することを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (7件)：

H05H 1/46 , C23C 14/54 , C23C 16/50 , C23F 4/00 , H01L 21/205 , H01L 21/3065 , H05H 1/00

FI (7件)：

H05H 1/46 B , C23C 14/54 B , C23C 16/50 , C23F 4/00 D , H01L 21/205 , H05H 1/00 A , H01L 21/302 E

引用特許：

審査官引用 (6件)

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-250409 出願人：株式会社東芝
特開昭64-073620
プラズマ監視装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-275357 出願人：日本高周波株式会社

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引用文献：

審査官引用 (2件)

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