特許
J-GLOBAL ID：200903063797259516

記憶素子及びメモリ

発明者：
鹿野 博司

鹿野 博司 について

, 
細見 政功

細見 政功 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (2件)： 角田 芳末 ,  伊藤 仁恭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-288557
公開番号（公開出願番号）：特開2007-103471
出願日： 2005年09月30日
公開日（公表日）： 2007年04月19日
要約：
【課題】スピン注入効率を向上することにより、書き込みに要する電流値を低減することができる記憶素子を提供する。【解決手段】情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層17を有し、この記憶層17の上下に、それぞれ中間層を介して磁化固定層31,32が設けられ、記憶層17の上下の中間層のうち、一方の中間層はトンネルバリアを形成する絶縁層16であり、他方の中間層33は絶縁層18と非磁性導電層19との積層であり、積層方向に電流を流すことにより、記憶層17の磁化の向きが変化して、記憶層17に対して情報の記録が行われる記憶素子3を構成する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層を有し、 前記記憶層の上下に、それぞれ中間層を介して磁化固定層が設けられ、 前記記憶層の上下の前記中間層のうち、一方の前記中間層は、トンネルバリアを形成する絶縁層であり、 他方の前記中間層は、絶縁層と非磁性導電層との積層であり、 積層方向に電流を流すことにより、前記記憶層の磁化の向きが変化して、前記記憶層に対して情報の記録が行われる ことを特徴とする記憶素子。
IPC (4件)：
H01L 43/10 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08
FI (3件)：
H01L43/10 ,  H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z
Fターム (11件)：
5F083FZ10 ,  5F083JA02 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA60 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (4件)
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