特許

J-GLOBAL ID：200903063819198036

光電変換装置及びその製造方法

発明者： 奈須野 善之 ,  石河 泰明 ,  中野 孝紀
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-018413
公開番号（公開出願番号）：特開2008-186953
出願日： 2007年01月29日
公開日（公表日）： 2008年08月14日
要約：

【課題】良好な光電変換効率を有する薄膜光電変換装置を提供する。またそのプラズマCVD法による製造方法を提供する。【解決手段】それぞれシリコン系半導体からなるp型層4、i型層5及びn型層6をこの順序で基板1上に重ねて備え、i型層は、n型不純物を1.0×1016〜2.0×1017cm-3の濃度で含有する。またp型層、i型層及びn型層の積層はこの順序で同一の成膜室内で繰り返し行われ、i型層はその成膜前に成膜室内を置換ガスによって置換した後に行われる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

それぞれシリコン系半導体からなるp型層、i型層及びn型層をこの順序で重ねて備え、 前記i型層は、n型不純物を1.0×1016〜2.0×1017cm-3の濃度で含有する光電変換装置。

IPC (1件)：

H01L 31/04

FI (2件)：

H01L31/04 V ,  H01L31/04 W

Fターム (12件)：

5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051CA02 ,  5F051CA03 ,  5F051CA04 ,  5F051CA07 ,  5F051CA08 ,  5F051CA15 ,  5F051DA04 ,  5F051FA02 ,  5F051FA06 ,  5F051GA03

引用特許：

出願人引用 (1件)

• シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-050248   出願人：鐘淵化学工業株式会社

審査官引用 (4件)

• 光起電力素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-342518   出願人：三菱重工業株式会社
• 薄膜太陽電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-184930   出願人：富士電機株式会社
• 薄膜形成方法及び装置並びに太陽電池の製造方法並びに太陽電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-160677   出願人：石川島播磨重工業株式会社
• シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-358882   出願人：鐘淵化学工業株式会社