特許

J-GLOBAL ID：200903064003296567

半導体記憶素子

発明者： 石田 誠 ,  澤田 和明 ,  赤井 大輔 ,  盧 炳權 ,  森安 嘉貴
出願人/特許権者： 石田 誠 ,  旭化成株式会社
代理人 (1件)： 谷 義一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-057293
公開番号（公開出願番号）：特開2002-261249
出願日： 2001年03月01日
公開日（公表日）： 2002年09月13日
要約：

【要約】【課題】 高速かつ強誘電体の疲労が少なく、面積縮小化に適した劣化の少ない不揮発性メモリとしての半導体記憶素子を提供すること。【解決手段】 Si単結晶基板1上の形成されたソース2と、Si単結晶基板1上の形成されたドレイン3と、Si単結晶基板1上に形成されたトランジスタのゲート部分にエピタキシャル成長されたγ-Al2O3薄膜4と、γ-Al2O3薄膜4上に形成された強誘電体薄膜5と、強誘電体薄膜5上に形成されたPt電極6とで構成され、Si基板上にエピタキシャル成長されたγ-Al2O3単結晶薄膜を介して、高配向強誘電体薄膜を形成することにより、強誘電体の自発分極により直接ソース-ドレイン間の電流をオン、オフすることができる。

請求項（抜粋）：

半導体単結晶基板上に形成されたトランジスタのゲート部分に、エピタキシャル成長されたγ-Al2O3単結晶薄膜を設けるとともに、該γ-Al2O3単結晶薄膜上に高配向の強誘電体薄膜を順次積層してなることを特徴とする半導体記憶素子。

IPC (5件)：

H01L 27/105 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (6件)：

H01L 21/316 G ,  H01L 21/316 M ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/316 P ,  H01L 27/10 444 A ,  H01L 29/78 371

Fターム (28件)：

5F058BA04 ,  5F058BA11 ,  5F058BB10 ,  5F058BD01 ,  5F058BD03 ,  5F058BD05 ,  5F058BF04 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ01 ,  5F083FR06 ,  5F083GA09 ,  5F083GA21 ,  5F083JA01 ,  5F083JA02 ,  5F083JA06 ,  5F083JA13 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083PR21 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33 ,  5F101BA47 ,  5F101BA62 ,  5F101BF03 ,  5F101BH02

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 強誘電体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-192667   出願人：松下電器産業株式会社
• 酸化物積層構造およびその製造方法ならびに強誘電体不揮発性メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-076272   出願人：ソニー株式会社
• 薄膜赤外線センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-267682   出願人：株式会社堀場製作所

引用文献：

審査官引用 (1件)

• "Metalorganic molecular beam epitaxy of γ-Al2O3 films on Si at low growth temperatures"