反射防止膜形成用組成物及びそれに用いるラダー型シリコーン共重合体

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：阿形明 , 水口崇敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-396335
公開番号（公開出願番号）：特開2004-341479
出願日： 2003年11月26日
公開日（公表日）： 2004年12月02日
要約：

【課題】有機溶剤に可溶で慣用のスピンコーティング法により簡単に塗布することができ、保存安定性がよく、しかも放射線を吸収する発色団を導入することにより、その反射防止能力の調整が可能な反射防止膜形成用組成物を提供する。【解決手段】 (A)(a1)(ヒドロキシフェニルアルキル)シルセスキオキサン単位10〜90モル%、(a2)(アルコキシフェニルアルキル)シルセスキオキサン単位0〜50モル%及び(a3)アルキル又はフェニルシルセスキオキサン単位10〜90モル%からなるラダー型シリコーン共重合体、(B)熱又は光により酸を発生する酸発生剤及び(C)架橋剤を有機溶剤に溶解してなり、かつArFレーザーに対する光学パラメーター(k値)が0.002〜0.95の範囲の反射防止膜を形成しうる反射防止膜形成用組成物である。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

(A)(a1)(ヒドロキシフェニルアルキル)シルセスキオキサン単位10〜90モル%、(a2)(アルコキシフェニルアルキル)シルセスキオキサン単位0〜50モル%及び(a3)アルキル又はフェニルシルセスキオキサン単位10〜90モル%からなるラダー型シリコーン共重合体、(B)熱又は光により酸を発生する酸発生剤及び(C)架橋剤を有機溶剤に溶解してなり、かつArFレーザーに対する光学パラメーター(k値)が0.002〜0.95の範囲の反射防止膜を形成しうることを特徴とする反射防止膜形成用組成物。

IPC (4件)：

G03F7/11 , G03F7/004 , G03F7/075 , H01L21/027

FI (4件)：

G03F7/11 503 , G03F7/004 501 , G03F7/075 521 , H01L21/30 574

Fターム (16件)：

2H025AA02 , 2H025AB16 , 2H025AC08 , 2H025AD01 , 2H025AD03 , 2H025CB14 , 2H025CB33 , 2H025CB41 , 2H025CB45 , 2H025CB55 , 2H025CB56 , 2H025CC03 , 2H025CC17 , 2H025DA34 , 2H025FA29 , 5F046PA07

引用特許：

出願人引用 (6件)

レジスト下層膜用組成物およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-226604 出願人：ジェイエスアール株式会社
反射防止ハードマスク組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-174636 出願人：シップレーカンパニーエルエルシー
特許第6340734号

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審査官引用 (5件)

特許第6340734号
電子線レジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-154128 出願人：東京応化工業株式会社
フォトリソグラフィ用スピンオンガラス反射防止コーティング
公報種別：公表公報出願番号：特願2001-503571 出願人：ハネウエル・インターナシヨナル・インコーポレーテツド

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