特許

J-GLOBAL ID：200903064114573730

熱処理装置および熱処理方法

発明者： 大島 和彦 ,  寺下 裕一 ,  雫石 桃子 ,  志手 英男 ,  吉原 孝介
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 木下 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-295602
公開番号（公開出願番号）：特開2005-150699
出願日： 2004年10月08日
公開日（公表日）： 2005年06月09日
要約：

【課題】 被処理体の面内温度分布の均一化を図ることによって、製品歩留まりを向上させることができる熱処理装置及び熱処理方法を提供する。【解決手段】 板状の被処理体を載置して所定温度に加熱する発熱体を有する載置台22と、被処理体を載置台から載置あるいは離間すべく載置台に対して相対移動する支持部材23と、前記載置台22の上方を包囲するカバー28と、前記載置台22の下方を包囲し、前記カバー28と組み合わされて処理室30を形成するケーシング25とを備え、前記処理室30が開放される際、前記被処理体Wが支持部材23によって前記カバー28の内部に収容される。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

板状の被処理体を載置して所定温度に加熱する発熱体を有する載置台と、被処理体を載置台から載置あるいは離間すべく載置台に対して相対移動する支持部材と、前記載置台の上方を包囲するカバーと、前記載置台の下方を包囲し、前記カバーと組み合わされて処理室を形成するケーシングとを備え、 前記被処理体が支持部材によって前記カバーの内部に収容された状態で、前記処理室が開放されることを特徴とする熱処理装置。

IPC (1件)：

H01L21/027

FI (2件)：

H01L21/30 566 ,  H01L21/30 567

Fターム (1件)：

5F046KA04

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 熱処理方法及び熱処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-218484   出願人：東京エレクトロン株式会社

審査官引用 (4件)

• 処理装置の汚れを除去する方法及び処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-374420   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 加熱処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-157030   出願人：東京エレクトロン株式会社
• レジスト膜形成方法及び基板処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-144552   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 半導体基板の熱処理装置及び熱処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-330466   出願人：タツモ株式会社