特許
J-GLOBAL ID：200903064208759322

電力変換装置

発明者：
葛巻 淳彦

葛巻 淳彦 について

, 
餅川 宏

餅川 宏 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (7件)： 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  川又 澄雄 ,  中村 友之 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-268642
公開番号（公開出願番号）：特開2007-082351
出願日： 2005年09月15日
公開日（公表日）： 2007年03月29日
要約：
【課題】スイッチング損失および発熱損失を低減することができ、しかも小型化が可能な電力変換装置を提供する。【解決手段】主電極の一方が正極端子10に接続された電力用半導体スイッチング素子21および該電力用半導体スイッチング素子の主電極の他方と負極端子11との間に接続されたMOSFET22を備えたカスコード素子20と、正極端子にカソード電極が接続され、負極端子にアノード電極が接続された高速ダイオード30と、電力用半導体スイッチング素子の制御端子と負極端子との間に接続され、制御端子と負極端子との間を所定値以下の電位差に制御する電力用半導体スイッチング素子駆動回路60と、MOSFETの制御端子と負極端子との間に接続されて該MOSFETを制御するMOSFET駆動回路70とを備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
主電極の一方が正極端子に接続された電力用半導体スイッチング素子および該電力用半導体スイッチング素子の主電極の他方と負極端子との間に接続されたMOSFETを備えたカスコード素子と、 前記正極端子にカソード電極が接続され、前記負極端子にアノード電極が接続された高速ダイオードと、 前記電力用半導体スイッチング素子の制御端子と前記負極端子との間に接続され、前記制御端子と前記負極端子と間を所定値以下の電位差に制御する電力用半導体スイッチング素子駆動回路と、 前記MOSFETの制御端子と前記負極端子との間に接続されて該MOSFETを制御するMOSFET駆動回路と、 を備えたことを特徴とする電力変換装置。
IPC (1件)：
H02M 1/08
FI (3件)：
H02M1/08 A ,  H02M1/08 341A ,  H02M1/08 351A
Fターム (9件)：
5H740BA11 ,  5H740BA12 ,  5H740BA15 ,  5H740BB01 ,  5H740BB08 ,  5H740HH05 ,  5H740JA22 ,  5H740KK01 ,  5H740MM05
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (7件)
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