特許
J-GLOBAL ID：200903064222531024

半導体装置

発明者：
岩▲崎▼ 富生

岩▲崎▼ 富生 について

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太田 裕之

太田 裕之 について

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浅野 勇

浅野 勇 について

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大路 譲

大路 譲 について

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中村 吉孝

中村 吉孝 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-077779
公開番号（公開出願番号）：特開2001-267535
出願日： 2000年03月15日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
要約：
【要約】【課題】信頼性の高い半導体装置を提供する。また、歩留りの高い半導体装置を提供する。また、導通不良を起こしにくい容量素子構造を有する半導体装置を提供する。【解決手段】シリコン(Si)基板の一主面側に、導電性膜と、該導電性膜に接触する第一電極と、該第一電極に接触する高誘電率あるいは強誘電性の酸化物膜と、該酸化物膜に接触する第二電極が,この順序で形成されている情報蓄積用容量素子を備えた半導体装置において、酸素の拡散通路を狭める元素を前記導電性膜に含有させる。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板の一主面側に形成された主構成材料が窒化チタンであり、少なくともシリコン、コバルト、ニッケル、ルテニウムからなる群から選ばれる一種類の添加元素を含有する導電性膜と、前記導電性膜に接するように形成された第一電極と、前記第一電極に接するように形成された高誘電率または強誘電性の酸化物膜と、前記酸化膜に接するように形成された第二電極とを備えた半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 27/108 ,  H01L 21/8242
FI (2件)：
H01L 27/10 651 ,  H01L 27/10 621 C
Fターム (13件)：
5F083AD31 ,  5F083AD48 ,  5F083GA25 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA20 ,  5F083PR33
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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