一次元炭素ナノ構造体の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：磯野道造
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-525501
公開番号（公開出願番号）：特表2007-504086
出願日： 2004年09月02日
公開日（公表日）： 2007年03月01日
要約：

炭素ナノ構造体を製造する方法を提供する。蒸着マスクを備える基質上に、有機金属層を蒸着する。マスクを除去すると、有機金属前駆体のマスク上に蒸着した部分も除去される。有機金属層の残った部分を酸化し、炭素ナノ構造体の合成に用いることのできる金属成長触媒を基質上に得る。

請求項（抜粋）：

蒸着マスクを備える基質を設け; 有機金属層の少なくとも一部分が前記基質の非マスク部分に蒸着するように前記基質上に有機金属層を蒸着し; 前記基質から前記蒸着マスクを除去し; 前記基質の非マスク部分に蒸着した有機金属層の部分を酸化して前記基質上に成長触媒を形成し;そして前記基質を炭素前駆ガスに蒸着温度で触れさせて炭素ナノ構造体を形成することを含む、炭素ナノ構造体を合成する方法。

IPC (2件)：

C01B 31/02 , D01F 9/127

FI (2件)：

C01B31/02 101F , D01F9/127

Fターム (27件)：

4G146AA11 , 4G146AA12 , 4G146BA09 , 4G146BA12 , 4G146BA48 , 4G146BB22 , 4G146BB23 , 4G146BC09 , 4G146BC23 , 4G146BC25 , 4G146BC26 , 4G146BC31B , 4G146BC33A , 4G146BC33B , 4G146BC37A , 4G146BC42 , 4G146BC44 , 4G146BC47 , 4G146DA03 , 4L037CS03 , 4L037FA02 , 4L037PA05 , 4L037PA06 , 4L037PA07 , 4L037PA10 , 4L037UA02 , 4L037UA09

引用特許：

審査官引用 (7件)

カーボンナノチューブの製法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-161292 出願人：キヤノン株式会社
製品の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-045300 出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
パターン化カーボンナノチューブ膜
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-621279 出願人：コモンウエルスサイエンティフィックアンドインダストリアルリサーチオーガナイゼーション

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