エッチング特性が異なる誘電体層を用いてデュアルダマシンにより形成される配線

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-565566
公開番号（公開出願番号）：特表2002-522923
出願日： 1999年08月09日
公開日（公表日）： 2002年07月23日
要約：

【要約】本発明により、エッチング特性が異なる連続した誘電体層(314および316)にデュアルダマシン構造(332および334)を形成する集積回路製造方法およびデバイスが提供される。また、本発明により、これらの誘電体層が異なる誘電率を有する方法およびデバイスが提供される。本発明のさらなる実施形態には、放射に露光されると、ハードマスク(622)を形成するシリコン系感光材料などの単層マスクの使用が含まれる。さらなる実施形態では、IC構造を製造するための製造システム(710)が提供される。これらのシステムには、複数の製造ステーション(720、722、724、726、728、730)と相互作用し得るコントローラ(700)が含まれる。

請求項（抜粋）：

基板上に構造を形成する方法であって、 a)前記基板上に第1の誘電体層を堆積すること; b)前記第1の誘電体層上に、前記第1の誘電体層とエッチング特性が異なる材料を備える第2の誘電体層を堆積すること; c)前記第2の誘電体層上にバイアパターンをもつ第1のエッチングマスクを堆積すること; d)第1のエッチング手順において前記第1および第2の誘電体層を通してバイアパターンを異方的にエッチングすることにより、第1の誘電体層にバイアホールを形成すること; e)前記第1のエッチングマスクを除去すること; f)第2のエッチング手順において下地バイアホール上の第2の誘電体層にトレンチを異方的にエッチングすることにより、トレンチおよびバイアホールがデュアルダマシン構造を製造するように適応させることを含む方法。

IPC (5件)：

H01L 21/768 , H01L 21/28 , H01L 21/3065 , H01L 39/06 , H01L 39/24 ZAA

FI (5件)：

H01L 21/28 L , H01L 39/06 , H01L 39/24 ZAA B , H01L 21/90 C , H01L 21/302 H

Fターム (63件)：

4M104AA01 , 4M104AA02 , 4M104AA04 , 4M104AA05 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB08 , 4M104BB18 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104DD08 , 4M104DD16 , 4M104DD20 , 4M104EE12 , 4M104HH20 , 4M113AD51 , 4M113BA04 , 4M113BA15 , 4M113BA23 , 4M113CA01 , 4M113CA34 , 5F004DA00 , 5F004DA04 , 5F004EA04 , 5F004EB02 , 5F033GG02 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH14 , 5F033HH19 , 5F033HH40 , 5F033JJ01 , 5F033JJ08 , 5F033JJ11 , 5F033JJ14 , 5F033JJ19 , 5F033JJ40 , 5F033KK03 , 5F033MM02 , 5F033MM13 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP14 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ11 , 5F033QQ16 , 5F033QQ21 , 5F033QQ25 , 5F033QQ26 , 5F033QQ31 , 5F033QQ35 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033RR04 , 5F033RR11 , 5F033RR21 , 5F033SS15 , 5F033WW09 , 5F033XX03 , 5F033XX24

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-114656 出願人：ソニー株式会社
エネルギー感受性材料及びそれらの使用法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-101637 出願人：アメリカンテレフォンアンドテレグラフカムパニー
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-281775 出願人：ソニー株式会社

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