特許
J-GLOBAL ID：200903064456474733
半導体素子評価装置及び半導体素子評価方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
服部 毅巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-345120
公開番号（公開出願番号）：特開2008-157695
出願日： 2006年12月22日
公開日（公表日）： 2008年07月10日
要約：
【課題】半導体モジュールの歩留まり、生産性を向上させる。【解決手段】半導体素子の電気的特性を評価する半導体素子評価装置10において、半導体素子評価装置10に設置された接触針12を半導体素子の電極に接触させて、接触針12を経由して半導体素子の動特性試験を行う試験手段と、動特性試験で用いた接触針12と同一の接触状態によって、接触針12を経由して半導体素子の静特性試験を行う試験手段と、を備えた半導体素子評価装置10が提供される。このような半導体素子評価装置10を用いることにより、動特性試験と静特性試験を同一の接触針12を用いて、それぞれの試験を連続して遂行することができる。その結果、半導体モジュールの歩留まりを向上させ、生産性を向上させることができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体素子の電気的特性を評価する半導体素子評価装置において、
前記半導体素子評価装置に設置された接触針を前記半導体素子の電極に接触し、前記接触針を経由して前記半導体素子の動特性試験を行う試験手段と、
前記動特性試験で用いた前記接触針と同一の接触状態によって、前記接触針を経由して前記半導体素子の静特性試験を行う試験手段と、
を備えていることを特徴とする半導体素子評価装置。
IPC (3件)：
G01R 31/26
, H01L 21/336
, H01L 29/78
G01R31/26 B
, H01L29/78 658L
2G003AA02
, 2G003AB01
, 2G003AB05
, 2G003AB09
, 2G003AE06
, 2G003AE09
, 2G003AF06
, 2G003AH05
, 2G003AH07
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (2件)
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