特許
J-GLOBAL ID：200903062790399600
半導体装置およびその評価方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-207438
公開番号（公開出願番号）：特開2005-064042
出願日： 2003年08月13日
公開日（公表日）： 2005年03月10日
要約：
【課題】ゲート・エミッタ間にツェナー電圧以上の電圧を印加してスクリーニング試験をすることができる半導体装置およびその評価方法を提供する。【解決手段】第1IGBT1のエミッタと接続する第1グランド端子HGNDと第1IGBT1のゲートに接続する第1ツェナーダイオード3のアノードと接続する第2グランド端子ZGNDを設け、これらの端子を離して、第1IGBT1のゲートにツェナー電圧以上の電圧を印加してスクリーニング試験をすることで、高い信頼性をもつ半導体装置を選別できる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1MOSトランジスタと、該第1MOSトランジスタのゲートにカソードを接続するツェナーダイオードとを有する半導体装置において、 前記第1MOSトランジスタの低電位側と接続する第1グランド端子と、前記ツェナーダイオードのアノードと接続する第2グランド端子とをそれぞれ有することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L21/822
, G01R31/26
, H01L27/04
H01L27/04 T
, G01R31/26 B
, H01L27/04 H
2G003AA02
, 2G003AB05
, 2G003AC01
, 2G003AE01
, 2G003AE09
, 2G003AH05
, 5F038BE09
, 5F038BH05
, 5F038BH15
, 5F038CD02
, 5F038CD15
, 5F038DT10
, 5F038DT15
, 5F038EZ20
