特許
J-GLOBAL ID：200903064496966639
ワイヤチャンネルを有する電界効果トランジスタ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
八田 幹雄
, 奈良 泰男
, 宇谷 勝幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-259238
公開番号（公開出願番号）：特開2006-080519
出願日： 2005年09月07日
公開日（公表日）： 2006年03月23日
要約：
【課題】 ワイヤチャンネルを有する電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板100と、半導体基板100上に形成されたソース/ドレイン領域142と、ソース/ドレイン領域142と電気的に連結され、2列及び少なくとも2行で配列された複数個のワイヤチャンネル112e、114eと、複数個のワイヤチャンネル112e、114eをそれぞれ取り囲むゲート絶縁膜142aと、それぞれの複数個のワイヤチャンネル112e、114e及びゲート絶縁膜142aを取り囲むゲート電極と、を備える。【選択図】 図3A
請求項（抜粋）：
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成されたソース/ドレイン領域と、
前記ソース/ドレイン領域と電気的に連結され、2列及び少なくとも2行で配列された複数個のワイヤチャンネルと、
前記複数個のワイヤチャンネルをそれぞれ取り囲むゲート絶縁膜と、
それぞれの前記複数個のワイヤチャンネル及び前記ゲート絶縁膜を取り囲むゲート電極と、
を備えることを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L29/78 618C
, H01L29/78 626Z
5F110AA30
, 5F110CC02
, 5F110CC10
, 5F110DD05
, 5F110DD13
, 5F110EE05
, 5F110EE09
, 5F110EE14
, 5F110EE22
, 5F110EE43
, 5F110FF02
, 5F110FF12
, 5F110FF23
, 5F110GG02
, 5F110GG12
, 5F110GG22
, 5F110GG25
, 5F110GG30
, 5F110HJ13
, 5F110NN62
, 5F110QQ04
, 5F110QQ05
, 5F110QQ19
出願人引用 (1件)
審査官引用 (7件)
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