MIS電界効果トランジスタ及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-318802
公開番号（公開出願番号）：特開2002-124682
出願日： 2000年10月19日
公開日（公表日）： 2002年04月26日
要約：

【要約】【目的】SOI構造の完全チャネル制御型のMIS電界効果トランジスタの形成【構成】半導体基板1上に酸化膜2を介して設けられ且つ島状に絶縁分離された半導体層(SOI基板)3の対向する2側面(チャネル長方向の2側面)に接して一対の導電膜(メタルソースドレイン領域)7が設けられ、メタルソースドレイン領域7との接触部のSOI基板3に一対の高濃度及び低濃度のソースドレイン領域(5、6)が設けられ、メタルソースドレイン領域7と絶縁分離して、SOI基板3の周囲(上下面及びチャネル幅方向の2側面)がゲート酸化膜(SiO2/Ta2O5 )8を介して設けられたバリアメタル(TiN )9を有するゲート電極(Al)10により包囲された構造に形成されたチャネル領域完全包囲型ゲート電極構造を有するMIS電界効果トランジスタ。

請求項（抜粋）：

SOI基板の対向する2側面(チャネル長方向の2側面)を、前記SOI基板の対向する2側面(チャネル長方向の2側面)に設けられた不純物ソースドレイン領域に接して設けられた一対の導電膜(メタルソースドレイン領域)により包囲され、前記SOI基板の残りの4面(上下面及びチャネル幅方向の2側面)を、ゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極により包囲されていることを特徴とするMIS電界効果トランジスタ。

IPC (6件)：

H01L 29/786 , H01L 21/265 , H01L 21/28 301 , H01L 21/28 , H01L 29/43 , H01L 21/336

FI (7件)：

H01L 21/28 301 A , H01L 21/28 301 L , H01L 29/78 617 K , H01L 21/265 F , H01L 29/62 G , H01L 29/78 616 K , H01L 29/78 626 C

Fターム (81件)：

4M104AA01 , 4M104AA09 , 4M104BB01 , 4M104BB14 , 4M104BB18 , 4M104BB30 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD02 , 4M104DD04 , 4M104DD08 , 4M104DD16 , 4M104DD19 , 4M104DD28 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD55 , 4M104DD66 , 4M104DD75 , 4M104DD91 , 4M104EE03 , 4M104EE14 , 4M104EE15 , 4M104EE16 , 4M104FF02 , 4M104FF04 , 4M104FF06 , 4M104FF17 , 4M104FF18 , 4M104FF22 , 4M104FF27 , 4M104GG08 , 4M104GG20 , 4M104HH14 , 4M104HH16 , 5F110AA02 , 5F110AA03 , 5F110AA04 , 5F110AA06 , 5F110AA08 , 5F110AA09 , 5F110AA14 , 5F110BB04 , 5F110CC10 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD30 , 5F110EE01 , 5F110EE03 , 5F110EE05 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE22 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF09 , 5F110GG02 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG30 , 5F110GG32 , 5F110GG52 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ13 , 5F110HJ22 , 5F110HK04 , 5F110HK34 , 5F110HL01 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL12 , 5F110HL23 , 5F110HM15 , 5F110NN02 , 5F110NN04 , 5F110NN25 , 5F110NN62 , 5F110NN65 , 5F110QQ11 , 5F110QQ17

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-065761 出願人：株式会社東芝
シリコンオンインシュレータ構造の半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-018099 出願人：三星電子株式会社
単ゲート及び双ゲート電界効果トランジスタ及び作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-288347 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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