半導体レーザ装置及びそれを用いた光ディスク装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-529169
公開番号（公開出願番号）：特表平10-505960
出願日： 1996年03月27日
公開日（公表日）： 1998年06月09日
要約：

【要約】本発明の半導体レーザ装置は、n型GaAsからなる基板201と、活性層204と、活性層204を挟む一対のクラッド層と、を含む。装置は、更に、活性層204に隣接したスペーサ層205と、高ドープ可飽和吸収層206と、を含む。可飽和吸収層206に高ドープすることにより、キャリア寿命が短縮されて、安定した自励発振が得られる。その結果、広い温度範囲に渡って低い相対雑音強度を有する半導体レーザ装置が得られる。

請求項（抜粋）：

活性層と、該活性層を挟むクラッド構造と、を備えた自励発振型半導体レーザ装置であって、該クラッド構造は、1×1018cm-3以上の濃度で不純物がドープされている可飽和吸収層を含んており、該可飽和吸収層は、該活性層から離れた位置に配置されている、自励発振型半導体レーザ装置。

IPC (2件)：

H01S 3/18 , G11B 7/125

FI (2件)：

H01S 3/18 , G11B 7/125 C

引用特許：

審査官引用 (12件)

半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-038561 出願人：三洋電機株式会社
自励発振型半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-049366 出願人：三洋電機株式会社
特開平3-089581

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