特許
J-GLOBAL ID：200903088339027803
レーザ加工方法及び半導体チップ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
長谷川 芳樹
, 寺崎 史朗
, 石田 悟
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-329560
公開番号（公開出願番号）：特開2006-140355
出願日： 2004年11月12日
公開日（公表日）： 2006年06月01日
要約：
【課題】 複数の機能素子を含む積層部が形成された基板を切断するに際し、特に積層部の高精度な切断を可能にするレーザ加工方法を提供する。【解決手段】 積層部16の表面16aに保護テープ22を貼り付けた状態で、基板4の裏面4bをレーザ光入射面としてレーザ光Lを照射することにより、切断予定ラインに沿って改質領域7を基板4の内部に形成し、改質領域7の表面側端部7aから基板4の表面4aに達する亀裂24を生じさせる。そして、このような亀裂24が生じている状態で、エキスパンドテープを基板4の裏面4bに貼り付けて拡張させると、基板4だけでなく、切断予定ライン上の積層部16、すなわち層間絶縁膜17a,17bを切断予定ラインに沿って精度良く切断することができる。【選択図】 図19
請求項（抜粋）：
複数の機能素子を含む積層部が表面に形成された基板の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより、前記基板の切断予定ラインに沿って、切断の起点となる改質領域を前記基板の内部に形成するレーザ加工方法であって、
前記改質領域の表面側端部から少なくとも前記基板の表面に達する亀裂が生じるように前記改質領域を形成することを特徴とするレーザ加工方法。
IPC (5件)：
H01L 21/301
, B23K 26/00
, B23K 26/06
, B23K 26/38
, B23K 26/40
H01L21/78 B
, B23K26/00 D
, B23K26/06 A
, B23K26/38 320
, B23K26/40
4E068AD01
, 4E068AE01
, 4E068CD01
, 4E068DA10
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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