特許
J-GLOBAL ID：200903064693427502

熱処理方法及び熱処理装置

発明者：
桜井 秀昭

桜井 秀昭 について

, 
伊藤 信一

伊藤 信一 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-087544
公開番号（公開出願番号）：特開2001-274109
出願日： 2000年03月27日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：
【要約】【課題】 簡易な構成の放射温度計を複数用いて、被処理基板上の薄膜の温度分布を高精度に測定することができ、高精度の加熱処理を可能にする。【解決手段】 マスクブランクス上にレジストが塗布された被処理基体1に熱処理を施すための熱処理方法において、被測定対象面の放射率及び温度の測定が可能な第1の放射温度計9を用いて基体1表面の放射率及び温度を面内で測定し、得られた放射率を基に複数個の第2の放射温度計10で基体1表面の複数箇所の温度を測定し、第1の放射温度計9で得られた温度と第2の放射温度計10で得られた温度から第2の放射温度計10のオフセット値及びゲイン値を求め、オフセット値及びゲイン値を補正した第2の放射温度計10を用いて基体表面の面内温度分布を測定しながらハロゲンランプ2の出力を制御する。
請求項（抜粋）：
被処理基体の表面温度を放射温度計で測定し、この測定結果により加熱手段の出力制御を行いながら該基体を加熱する熱処理方法であって、被測定対象面の放射率及び温度の測定が可能な第1の放射温度計で前記被処理基体の表面の放射率及び温度を面内で測定する第1の工程と、第1の工程で得られた放射率を基に、複数個の第2の放射温度計で前記被処理基体の表面の複数箇所の温度を測定する第2の工程と、第1の工程で得られた温度と第2の工程で得られた温度から第2の放射温度計のオフセット値及びゲイン値を求める第3の工程と、第1の工程で得られた放射率及び第3の工程で得られたオフセット値及びゲイン値を基に、第2の放射温度計を用いて前記被処理基体の面内温度分布を測定しながら前記加熱手段の出力を制御する第4の工程とを含むことを特徴とする熱処理方法。
IPC (6件)：
H01L 21/26 ,  G01J 5/00 ,  G01J 5/02 ,  G01J 5/10 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/66
FI (6件)：
G01J 5/00 B ,  G01J 5/02 K ,  G01J 5/10 A ,  H01L 21/66 T ,  H01L 21/26 T ,  H01L 21/30 571
Fターム (14件)：
2G066AA06 ,  2G066AC20 ,  2G066BA08 ,  2G066BB03 ,  2G066BB11 ,  2G066CA15 ,  4M106BA08 ,  4M106CA70 ,  4M106DH02 ,  4M106DH13 ,  4M106DH14 ,  4M106DH46 ,  4M106DJ19 ,  5F046KA04
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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