特許
J-GLOBAL ID：200903064718006698
アモルファス炭素成膜方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人アイテック国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-083520
公開番号（公開出願番号）：特開2009-235495
出願日： 2008年03月27日
公開日（公表日）： 2009年10月15日
要約：
【課題】10Torrを超え常圧以下において、比較的低硬度の炭素膜を生成する。【解決手段】アモルファス炭素成膜装置10は、グランドに接続され基板12を支持する支持電極14と、この支持電極14と対向する位置に設けられ混合ガスの噴射口である混合ガス噴射口16aを有する対向電極16と、支持電極14と対向電極16とを包含するチャンバ20と、支持電極14と対向電極16との間に直流パルス電圧を印加するパルス供給源を有する直流パルス発生回路22とを備えている。アモルファス炭素膜を生成するときには、対向電極16にパルス幅が0.1μsec以上5.0μsec以下の直流パルス電圧を印加した状態で、キャリアガスに対するアセチレンガスの割合が0.05体積%以上10体積%以下となるように混合ガスを支持電極14及び対向電極16との間に供給してプラズマを発生させることにより、アモルファス炭素膜を生成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
グランドに接続された支持電極と、該支持電極と対向する位置に設けられた対向電極と、を備えたアモルファス炭素成膜装置を用いて、10Torr以上常圧以下で被処理基材にアモルファス炭素膜を生成するアモルファス炭素成膜方法であって、
(a)前記被処理基材を前記対向電極から離間して前記支持電極に載置する工程と、
(b)前記対向電極にパルス幅が0.1μsec以上5.0μsec以下である直流パルス電圧を印加した状態で、アセチレンガスと該アセチレンガスを運搬するキャリアガスとの混合ガスを、該キャリアガスに対する該アセチレンガスの割合が0.05体積%以上10体積%以下となるように前記支持電極及び前記対向電極との間に供給してプラズマを発生させることにより、アモルファス炭素膜を生成する工程と、
を含むアモルファス炭素成膜方法。
IPC (3件)：
C23C 16/26
, H05H 1/24
, H05H 1/46
C23C16/26
, H05H1/24
, H05H1/46 R
4K030AA06
, 4K030AA09
, 4K030AA16
, 4K030AA17
, 4K030BA27
, 4K030CA02
, 4K030CA17
, 4K030FA01
出願人引用 (1件)
審査官引用 (9件)
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