特許
J-GLOBAL ID:200903008852107770

非晶質炭素膜、非晶質炭素膜の形成方法、非晶質炭素膜を備えた導電性部材および燃料電池用セパレータ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 大川 宏
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-135777
公開番号(公開出願番号):特開2008-004540
出願日: 2007年05月22日
公開日(公表日): 2008年01月10日
要約:
【課題】導電性を有する非晶質炭素膜、また、そのような非晶質炭素膜の形成方法、および非晶質炭素膜を備えた導電性部材を提供する。【解決手段】炭素と水素とからなる非晶質炭素膜であって、水素を30at%以下(0at%を除く)含み、かつ、炭素の全体量を100at%としたときに、sp2混成軌道をもつ炭素量が70at%以上100at%未満である。水素やCsp3などの含有量を制御してCsp2からなる構造を増加させることで、非晶質炭素膜に導電性が付与される。この非晶質炭素膜は、sp2混成軌道をもつ炭素を含む炭素環式化合物ガスおよびsp2混成軌道をもつ炭素とともに珪素および/または窒素を含む複素環式化合物ガスから選ばれる一種以上を含む反応ガスを用いたプラズマCVD法により形成でき、基材100の表面に非晶質炭素膜を形成することで、導電性部材が得られる。【選択図】図2
請求項(抜粋):
炭素と水素とからなる非晶質炭素膜であって、水素を30at%以下(0at%を除く)含み、かつ、該炭素の全体量を100at%としたときに、sp2混成軌道をもつ炭素量が70at%以上100at%未満であることを特徴とする非晶質炭素膜。
IPC (3件):
H01M 8/02 ,  C23C 16/26 ,  C23C 16/503
FI (4件):
H01M8/02 B ,  H01M8/02 Y ,  C23C16/26 ,  C23C16/503
Fターム (21件):
4K030AA09 ,  4K030AA16 ,  4K030AA17 ,  4K030BA27 ,  4K030BB05 ,  4K030CA02 ,  4K030FA03 ,  4K030JA10 ,  4K030JA17 ,  5H026AA06 ,  5H026BB00 ,  5H026BB04 ,  5H026CX04 ,  5H026EE02 ,  5H026EE05 ,  5H026EE17 ,  5H026HH00 ,  5H026HH03 ,  5H026HH05 ,  5H026HH06 ,  5H026HH08
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (1件)
引用文献:
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