複合化フラッシュメモリを搭載した半導体装置及び携帯用機器

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：野口繁雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-149117
公開番号（公開出願番号）：特開2004-273117
出願日： 2004年05月19日
公開日（公表日）： 2004年09月30日
要約：

【課題】データの書込み又は消去をしながら読出しも同時に行えるようにする。【解決手段】メモリ部としてフラッシュメモリ素子のメモリアレイからなる制御命令メモリ部12Aと、やはりフラッシュメモリ素子の小さなセクターサイズ群で構成されるデータメモリ部12Bを備え、制御命令メモリ部12Aのアクセスを可能にするPFE信号とデータメモリ部12Bのアクセスを可能にするDFE信号の切換えによって、選択されたメモリ部で使用される。DFE信号によってデータメモリ部12Bを選択して書込み又は消去が開始されると、その後はDFE信号とPFE信号を切り換えて制御命令メモリ部12Aのアクセスを可能にすることにより、制御命令メモリ部12Aの情報を読み出すことができるようになる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

複合化フラッシュメモリを搭載した半導体装置において、前記複合化フラッシュメモリはフラッシュメモリ素子からなる第1のメモリ部と第2のメモリ部を備え、前記第1のメモリ部と第2のメモリ部は互いにメモリサイズが異なり、前記第1のメモリ部は複数個のメモリ素子からなる最小消去単位の均一なサイズのセクターに分割されており、前記第1のメモリ部の書込み又は消去時に第2のメモリ部の読出しを行なうことができることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

G11C16/02 , G06F12/00 , G06F12/06

FI (4件)：

G11C17/00 614 , G06F12/00 597U , G06F12/06 525A , G11C17/00 612F

Fターム (8件)：

5B060CA13 , 5B125BA01 , 5B125CA01 , 5B125DA01 , 5B125DE02 , 5B125DE06 , 5B125FA04 , 5B125FA10

引用特許：

審査官引用 (6件)

不揮発性、特に、フラッシュEEPROM記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-112859 出願人：エスジーエス-トムソンマイクロエレクトロニクスエス.アール.エル.
同時読出し/書込み機能付きフローティングゲート非揮発型メモリ及びこれを備えたマイクロプロセッサ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-222256 出願人：インテル・コーポレーション
複合化フラッシュメモリ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-149975 出願人：株式会社リコー

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