特許
J-GLOBAL ID：200903064805318604
メモリ装置、電子機器、相変化メモリ素子への記録方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
青木 篤
, 鶴田 準一
, 水谷 好男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-115775
公開番号（公開出願番号）：特開2009-266316
出願日： 2008年04月25日
公開日（公表日）： 2009年11月12日
要約：
【課題】相変化メモリ素子に多値記録を行うことが可能であるメモリ装置を提供する。【解決手段】相の変化により抵抗率が変化する相変化材料から成る相変化層5と、この相変化層5にそれぞれ接続された2つの電極層3,4と、相変化層5に接続された、導電材料或いは抵抗材料からなるヒーター層6とを含む相変化メモリ素子10によってメモリセルが構成され、相変化層5の相変化材料がアモルファス相から結晶相に相変化する過程において、メモリセルに供給される電流パルス又は電圧パルスを変化させることにより、メモリセルの相変化メモリ素子10の抵抗値を3段階以上変化させることが可能なように構成されているメモリ装置を構成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
相の変化により抵抗率が変化する相変化材料から成る相変化層と、
前記相変化層にそれぞれ接続され、互いに独立して形成された2つの電極層と、
前記相変化層に接続された、導電材料或いは抵抗材料からなるヒーター層とを含む相変化メモリ素子によってメモリセルが構成され、
前記相変化層の前記相変化材料がアモルファス相から結晶相に相変化する過程において、前記メモリセルに供給される電流パルス又は電圧パルスを変化させることにより、前記メモリセルの前記相変化メモリ素子の抵抗値を3段階以上変化させることが可能なように構成されている
メモリ装置。
IPC (3件)：
G11C 13/00
, H01L 45/00
, H01L 27/105
G11C13/00 A
, H01L45/00 A
, H01L27/10 448
5F083FZ10
, 5F083GA09
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083ZA21
出願人引用 (1件)
-
米国特許公開第2004-178404A1号公報(特に、Fig.4等)
審査官引用 (5件)
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