特許
J-GLOBAL ID:200903064913582288

透明電極膜及び同電極膜を形成するためのスパッタリングターゲット

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小越 勇 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-025078
公開番号(公開出願番号):特開2002-226966
出願日: 2001年02月01日
公開日(公表日): 2002年08月14日
要約:
【要約】【課題】 良好な可視光の透過率と高導電性を維持しながら、適度なエッチング性を備えた透明電極膜を得る。また、この透明電極膜を形成するスパッタリングプロセスにおいて、高密度でノジュール発生が少ない焼結体ターゲットを効率的に製造し、これによってノジュールの発生に伴う生産性の低下や品質の低下を抑制し、さらに粉砕メディアからの汚染(コンタミ)を無視できるターゲットを得ることを目的とする。【解決手段】 酸化インジウム中に酸化ジルコニウム0.1〜5重量%含有し、該酸化インジウム中に酸化ジルコニウムが固溶していることを特徴とする透明電極膜。
請求項(抜粋):
酸化インジウム中に酸化ジルコニウム0.1〜5重量%含有し、該酸化インジウム中に酸化ジルコニウムが固溶していることを特徴とする透明電極膜。
IPC (4件):
C23C 14/08 ,  C23C 14/34 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 21/285
FI (4件):
C23C 14/08 D ,  C23C 14/34 A ,  G02F 1/1343 ,  H01L 21/285 S
Fターム (15件):
2H092HA04 ,  2H092KB04 ,  2H092MA05 ,  2H092NA27 ,  2H092NA28 ,  4K029BA45 ,  4K029BC09 ,  4K029BD00 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4M104BB36 ,  4M104BB38 ,  4M104DD40 ,  4M104HH20
引用特許:
審査官引用 (13件)
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引用文献:
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