薄膜の膜厚測定方法、多結晶半導体薄膜の形成方法、半導体デバイスの製造方法、およびその製造装置、並びに画像表示装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小野寺洋二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-124830
公開番号（公開出願番号）：特開2006-300811
出願日： 2005年04月22日
公開日（公表日）： 2006年11月02日
要約：

【課題】薄膜の膜厚を1分間に1万点以上の測定を基板全面にわたって行う検査を可能とする。【解決手段】透明基板2上に形成された薄膜3に対してレーザ光を照射し、基板の測定領域全体に渡って基板内の多数の同一ポイントでの透過強度を透過光強度モニタ4、反射光強度を反射光強度モニタ5で測定する。反射率をRとし透過率をTとしてA=1-(R+T)の値からA値と膜厚の関係から膜厚を測定し評価する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

透明基板上に形成された薄膜を測定対象とする薄膜の膜厚測定方法であって、前記薄膜に、当該薄膜の吸収帯にある単一波長の光を照射し、その反射光強度および透過光強度を測定し、両者の線形和から前記薄膜の光吸収量を求め、前記光吸収量を用いて当該薄膜の厚さを評価することを特徴とする薄膜の膜厚測定方法。

IPC (5件)：

G01B 11/06 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/20 , H01L 21/268

FI (5件)：

G01B11/06 Z , H01L29/78 627G , H01L29/78 624 , H01L21/20 , H01L21/268 T

Fターム (48件)：

2F065AA30 , 2F065BB17 , 2F065BB22 , 2F065CC17 , 2F065CC31 , 2F065DD06 , 2F065FF44 , 2F065GG04 , 2F065GG22 , 2F065HH15 , 2F065LL00 , 2F065QQ00 , 5F110AA24 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD17 , 5F110FF02 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG44 , 5F110NN01 , 5F110NN02 , 5F110NN72 , 5F110PP03 , 5F110PP31 , 5F152AA06 , 5F152AA08 , 5F152AA17 , 5F152BB02 , 5F152CC02 , 5F152CD13 , 5F152CD14 , 5F152CD27 , 5F152CE05 , 5F152CE12 , 5F152CE25 , 5F152CE42 , 5F152CE44 , 5F152FF03 , 5F152FF41 , 5F152FG03 , 5F152FG19 , 5F152FH03

引用特許：

出願人引用 (4件)

レーザ加工方法、その装置および薄膜加工方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-057185 出願人：株式会社東芝
膜厚測定方法およびその方法を用いた膜厚センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-273842 出願人：オムロン株式会社
特許第3337252号公報

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審査官引用 (8件)

特開昭59-048605
特開平3-035145
特開昭62-204104

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