特許

J-GLOBAL ID：200903099816229849

ポリシリコン膜生成方法

発明者： 武田 一男 ,  斉藤 雅和 ,  高崎 幸男 ,  阿部 広伸 ,  大倉 理 ,  木村 嘉伸 ,  芝 健夫
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-305927
公開番号（公開出願番号）：特開2003-109902
出願日： 2001年10月02日
公開日（公表日）： 2003年04月11日
要約：

【要約】【課題】 粒径を非破壊かつ高速に評価管理する方法を提供する。【解決手段】 ポリシリコン平均結晶粒径を、光回折パターンを計測することによって評価する。薄膜トランジスタの電界効果移動度を200cm2/VS以上でかつ電界効果移動度の面内変動を±10%以下とするために、平均粒径が500nm以上で面内バラツキが±20%以下となるようにレーザーアニールプロセスにフィードバックする。【効果】 ポリシリコン粒径の非破壊高速評価が可能となる。これを用いてプロセス管理を行うことにより、電界効果移動度の面内分布均一な高性能低温ポリシリコンTFT液晶装置の安定生産が可能となる。

請求項（抜粋）：

基板上に配置されたシリコン膜に光照射し多結晶シリコン膜を形成する工程と、基板面内の平均粒径の値が500nm以上である基板を選別する工程とを具備することを特徴とする多結晶シリコン膜の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/66 ,  H01L 29/786

FI (5件)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/66 N ,  H01L 29/78 624 ,  H01L 29/78 627 G

Fターム (16件)：

2H092KA04 ,  2H092MA30 ,  2H092MA55 ,  4M106AA01 ,  4M106BA05 ,  4M106CB30 ,  5F052AA02 ,  5F052BB07 ,  5F052CA07 ,  5F052JA01 ,  5F110AA24 ,  5F110BB01 ,  5F110DD02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110PP03

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 半導体薄膜とその半導体膜を用いた液晶表示装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-198359   出願人：株式会社日立製作所
• 結晶性半導体膜の製造方法、結晶化装置及びTFTの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-308474   出願人：富士通株式会社
• 結晶化薄膜の評価方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-031350   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体膜の形成装置及び形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-067337   出願人：三洋電機株式会社
• ワイヤハーネスのコネクタ保持用治具
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-169740   出願人：住友電装株式会社
• 半導体ウエハ検査装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-260201   出願人：菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社, 三菱電機株式会社