特許
J-GLOBAL ID：200903065093328809

半導体装置およびその製造方法

発明者：
山形 修

山形 修 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-027799
公開番号（公開出願番号）：特開2006-216770
出願日： 2005年02月03日
公開日（公表日）： 2006年08月17日
要約：
【課題】2個以上の半導体チップをスタック型に一体化する場合のチップ間に作用するノイズを抑制することがSiP形態の半導体装置を提供する。【解決手段】半導体を含んでパッケージ化された半導体装置であって、能動素子を含む第1半導体チップ12の上層の所定の領域に、例えばこの領域を全面に被覆するノイズ遮蔽層SDaあるいはメッシュ状導電層からなるノイズ遮蔽層などのノイズ遮蔽層が形成されており、このノイズ遮蔽層SDaの上層に、能動素子を含む第2半導体チップ16が積層されている構成とする。基板10と第1半導体チップ12の間にノイズ遮蔽層を設けた構成としてもよい。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体を含んでパッケージ化された半導体装置であって、 能動素子を含む第1半導体チップと、 前記第1半導体チップの上層の所定の領域に形成されたノイズ遮蔽層と、 前記ノイズ遮蔽層の上層に積層された能動素子を含む第2半導体チップと を有する半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 25/18 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/065
FI (1件)：
H01L25/08 Z
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-275370   出願人：株式会社東芝
審査官引用 (7件)
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