特許
J-GLOBAL ID：200903065849183826
積層型半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
横山 淳一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-180200
公開番号（公開出願番号）：特開2005-019568
出願日： 2003年06月24日
公開日（公表日）： 2005年01月20日
要約：
【課題】高周波回路素子を混載した積層型半導体装置において、高周波回路素子からの電磁放射のレベルを極力小さく抑制でき、かつ安価で小型化を実現した積層型半導体装置が要望されている。【解決手段】上面に半導体素子が実装されている第1の配線基板と、この第1の配線基板と電気的に接続される複数の電極端子を介して第1の配線基板の上に積層される第2の配線基板と、該半導体素子の周囲に配設され、かつ第1の配線基板および第2の配線基板に設けられた接地配線層と接続された導体支持部材を有する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
上面に半導体素子が実装されている第1の配線基板と、該第1の配線基板と電気的に接続される複数の電極端子を介して該第1の配線基板の上に積層される第2の配線基板と、該半導体素子の周囲に配設され、かつ該第1の配線基板および第2の配線基板に設けられた接地配線層と接続された導体支持部材を有することを特徴とする積層型半導体装置。
IPC (4件)：
H01L25/065
, H01L23/12
, H01L25/07
, H01L25/18
H01L25/08 Z
, H01L23/12 301L
